TI: regolatore buck sincrono da 100 V con MOSFET integrati
Texas Instruments ha ampliato la propria gamma di regolatori di tipo PoL (Point of Load) ad alta tensione con l’introduzione del primo regolatore buck sincrono 100 V con MOSFET integrati. Il nuovo LM5017 da 600 mA in particolare è il primo di una nuova famiglia di regolatori switching ‘step-down’ ideati per consentire ai progettisti di ridurre gli ingombri a bordo della scheda Pcb (con conseguente risparmio sui costi del sistema) e al tempo stesso di aumentare l’affidabilità in applicazioni ad alta tensione tipici di settori quali telecomunicazione, industriale, smart grid e automotive.
Utilizzato insieme al tool di progettazione online Webench, il nuovo LM5017 semplifica la conversione DC/DC ad alta tensione e accelera i tempi di progettazione. Il modello LM5017 da 600 mA insieme a LM5018 da 300 mA e LM5019 da 100 mA, previsti per aprile, permette la regolazione diretta della tensione del punto di carico partendo da una tensione di ingresso massima di 100 V. In questo modo è possibile eliminare la presenza di circuiti di aggancio o soppressori di tensioni transitorie esterni. I MOSFET integrati invece permettono di evitare il ricorso ai diodi Schottky di tipo “freewheeling” e migliorare l’efficienza. I nuovi dipositivi sono forniti in package LLP di dimensioni pari a 4×4 mm.
Contenuti correlati
-
Progettazione di un’applicazione per supportare ampi intervalli di tensione di ingresso e della batteria
Oltre a contribuire a ridurre i tempi di progetto, l’utilizzo di un caricabatterie ad ampio VIN e ampia VOUT permette di valutare nuove tecnologie, come la ricarica bidirezionale a energia solare Leggi l’articolo completo su EO519
-
Texas Instruments e Delta Electronics insieme per le soluzioni per EV
Texas Instruments (TI) ha stretto una collaborazione a lungo termine con Delta Electronics per creare soluzioni di ricarica di bordo e alimentazione di nuova generazione per veicoli elettrici (EV). Questa collaborazione sfrutterà le capacità di ricerca e...
-
WeEn Semiconductors: tecnologie SiC in packaging TSPAK
WeEn Semiconductors ha presentato a PCIM 2024 le sue nuove famiglie di MOSFET al carburo di silicio (SiC) e diodi a barriera Schottky (SBD) nel packaging TSPAK che offre prestazioni termiche particolarmente interessanti. L’evento di Norimberga è...
-
Realizzare telecamere smart basate sull’AI con un processore “ad hoc”
Il processore AM62A è progettato per applicazioni di visione da bassa a media che richiedono una o due telecamere. Grazie al suo innovativo acceleratore per AI, all’encoder/decoder H264/H265 e al processore ISP (Image Sensor Processor) integrato dotato...
-
La correzione del fattore di potenza tramite controllo della modalità a corrente di picco
Questo nuovo metodo di controllo in modalità a corrente di picco per PFC presenta numerosi vantaggi rispetto al tradizionale metodo di controllo in modalità a corrente media che verranno illustrati in questo articolo Leggi l’articolo completo su...
-
Infineon presenta i MOSFET OptiMOS 7 da 80 V per applicazioni automotive
Infineon Technologies ha introdotto il primo prodotto nella sua nuova tecnologia MOSFET OptiMOS 7 80 V. Siglato IAUCN08S7N013, il nuovo componente offre una densità di potenza particolarmente elevata ed è disponibile nel package SMD SSO8 5 x...
-
Infineon presenta i MOSFET OptiMOS 6 da 200 V
Infineon Technologies ha annunciato la famiglia di MOSFET OptiMOS 6 da 200 V. La nuova gamma è progettata per offrire prestazioni ottimali in applicazioni quali scooter elettrici, micro-veicoli elettrici e carrelli elevatori elettrici. Il produttore precisa che...
-
Nuove gamme di dispositivi GaN da Texas Instruments
Texas Instruments (TI) ha presentato due nuove gamme di dispositivi di conversione di potenza che consentono di ottenere maggiori densità di potenza. I nuovi stadi di potenza integrati al nitruro di gallio (GaN) da 100 V di...
-
Ottimizzazione di inverter basati su dispositivi in GaN per il pilotaggio di motori BLDC
Grazie alle superiori prestazioni di commutazione dei dispositivi in GaN, gli inverter che li utilizzano possono essere ottimizzati riducendo il numero di componenti, diminuendo così il volume complessivo dell’inverter rispetto a quelli basati su MOSFET a bassa...
-
Dispositivi di potenza a semiconduttore: una panoramica
Questo articolo è una panoramica sui dispositivi di potenza a semiconduttore e sul relativo potenziale applicativo nei sistemi e apparati elettronici in termini di prestazioni alle alte tensioni, alte correnti, densità di potenza e velocità di commutazione...