Texas Instruments: gate driver per MOSFET
TI ha espanso la sua gamma di gate driver per MOSFET UCCxxx con tre modelli di nuova generazione siglati rispettivamente UCC27210, UCC27211 e UCC27524. Si tratta di driver a 4 A e 5 A a due uscite destinati alla realizzazione di alimentatori per i segmenti dei server e delle telecomunicazioni. Questi driver sono in grado di proteggere i sistemi di potenza da sovratensioni fino a 100 V e sono utilizzabili con topologie full bride e half bridge ad alta frequenza con un ritardo di propagazione di 18 ns.
Per quanto riguarda le caratteristiche tecniche principali degli UCC27210 e UCC27211, questi driver a 120 V possono pilotare sia i canali N high side sia low side dei FET. L’ingresso, invece, permette l’interfacciamento diretto senza richiedere la presenza di diodi rettificatori. L’UCC27524, invece, è un driver a doppio canale low side da 5 A caratterizzato da un ritardo di propagazione di 12 ns, un rise time di 6 ns con 1 ns di delay matching in uscita. Questo driver supporta tensioni operative da 4,5 V a 18 V e permette, inoltre, di utilizzare entrambe le uscite per gestire applicazioni che richiedono 10 A come per esempio quelle per il controllo dei motori.
Contenuti correlati
-
Progettazione di un circuito di precarica attiva con condensatore DC-Link ad alta tensione
Questo articolo presenta il processo di progettazione necessario per calcolare gli adeguati valori dei componenti che contribuiscono a ottenere il profilo di carica desiderato Leggi l’articolo completo su EO 521
-
I miglioramenti nella tecnologia RFID danno origine a nuove applicazioni
L’identificazione a radiofrequenza (RFID) è una tecnologia consolidata che viene impiegata da molti anni, con l’introduzione dei primi esempi di transponder RF passivi che risale agli anni 70. Probabilmente la usate tutti i giorni senza accorgervene, ma...
-
TI presenta i suoi nuovi PLD
Texas Instruments (TI) ha presentato nuovi dispositivi a logica programmabile (PLD) che permettono di semplificare e velocizzare lo sviluppo di progetti di dispositivi logici per qualsiasi tipo di applicazione. È possibile integrare fino a 40 combinazioni e...
-
MOSFET per applicazioni ad alta temperatura da Rutronik
Rutronik ha annunciato la disponibilità del MOSFET di potenza serie E SIHD180N60ET4-GE3 di Vishay. I MOSFET ad alte prestazioni sono caratterizzati dalla loro bassa resistenza RDS(on) di 0,17 Ω, nonché da una bassa capacità di ingresso (CISS)...
-
Nexperia estende l’offerta di MOSFET NextPower
Nexperia ha rilasciato diversi nuovi dispositivi MOSFET NextPower a 80 V e 100 V con il package LFPAK caratterizzato da ingombri di 5×6 mm e 8×8 mm. Questi nuovi MOSFET NextPower 80/100 V sono ottimizzati per ottenere...
-
Come migliorare la sicurezza negli inverter di trazione dei veicoli elettrici
I progettisti di veicoli elettrici possono aumentare la sicurezza e l’affidabilità dei sistemi a inverter di trazione monitorando la soglia di tensione del gate Leggi l’articolo completo su EO520
-
Finanziamenti per 1,6 miliardi per Texas Instruments
Texas Instruments (TI) ha firmato un memorandum d’intesa preliminare non vincolante con il Dipartimento del Commercio degli Stati Uniti per un finanziamento diretto fino a 1,6 miliardi di dollari. Questa operazione rientra nell’ambito del CHIPS and Science...
-
Magnachip presenta il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione
Magnachip Semiconductor ha rilasciato il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione, utilizzabile per i circuiti di protezione della batteria degli smartphone. Magnachip ha utilizzato per la prima volta la sua tecnologia proprietaria Super-Short Channel FET II...
-
TTI Europe: disponibili i nuovi MOSFET di potenza di Vishay
Il distributore TTI IP&E – Europe ha annunciato la disponibilità dei MOSFET di potenza di Vishay SiHR080N60E Serie E di quarta generazione a 600 V. Questo dispositivo è caratterizzato da un’elevata efficienza e densità di potenza e...
-
Toshiba amplia la gamma di MOSFET U-MOS X-H a canale N da 150 V
I nuovi TPH1100CQ5 e TPH1400CQ5 sono MOSFET di potenza a canale N da 150 V di Toshiba Electronics Europe progettati specificamente per l’utilizzo negli alimentatori a commutazione ad alte prestazioni. Questi componenti utilizzano il processo U-MOS XH...