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WeEn Semiconductors: tecnologie SiC in packaging TSPAK
WeEn Semiconductors ha presentato a PCIM 2024 le sue nuove famiglie di MOSFET al...
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I nuovi SBD di ROHM
ROHM ha realizzato diodi a barriera Schottky (SBD) caratterizzati da una tensione di breakdown...
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Toshiba: nuovi MOSFET in carburo di silicio da 2200V
Toshiba ha realizzato un nuovo MOSFET SiC da 2200V con diodo a barriera Schottky...
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Toshiba: nuovi diodi Schottky SiC da 650V con tensione diretta di 1,2V
Toshiba Electronics Europe ha presentato dodici diodi a barriera Schottky (SBD) al carburo di...
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Diodes Incorporated rilascia i suoi primi diodi SBD SiC
Diodes Incorporated ha annunciato il rilascio dei suoi primi diodi a barriera Schottky (SBD)...
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Disponibili i nuovi diodi SBD di ROHM per automotive
ROHM ha presentato i suoi nuovi diodi a barriera Schottky (SBD) a 200 V...
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ROHM Semiconductor: MOSFET di potenza SiC
ROHM Semiconductor ha recentemente annunciato lo sviluppo della sua seconda...
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Cecilia Wachtmeister assume la carica di nuovo CEO di IAR
I.A.R. Systems Group AB ha annunciato che Cecilia Wachtmeister, nominata nuovo CEO alla fine...
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Keysight si unisce all’AI-RAN Alliance
Keysight Technologies ha aderito all’AI-RAN Alliance per favorire l’uso di tecnologie di intelligenza artificiale...
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Nuovo relè PCB per wallbox da Omron
Omron Electronic Components Europe ha realizzato un nuovo relè PCB ad alta potenza destinato...
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Nuova generazione di sensori di immagine da OMNIVISION
OMNIVISION ha annunciato il nuovo sensore di immagine global shutter (GS) OG0TC BSI per...
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