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Nuovi diodi Schottky da 1200 V da Toshiba
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WeEn Semiconductors: tecnologie SiC in packaging TSPAK
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I nuovi SBD di ROHM
ROHM ha realizzato diodi a barriera Schottky (SBD) caratterizzati da una tensione di breakdown...
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Toshiba: nuovi MOSFET in carburo di silicio da 2200V
Toshiba ha realizzato un nuovo MOSFET SiC da 2200V con diodo a barriera Schottky...
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Toshiba: nuovi diodi Schottky SiC da 650V con tensione diretta di 1,2V
Toshiba Electronics Europe ha presentato dodici diodi a barriera Schottky (SBD) al carburo di...
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Diodes Incorporated rilascia i suoi primi diodi SBD SiC
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Disponibili i nuovi diodi SBD di ROHM per automotive
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ROHM Semiconductor: MOSFET di potenza SiC
ROHM Semiconductor ha recentemente annunciato lo sviluppo della sua seconda...
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IAR ha annunciato il supporto per i microcontrollori automotive della serie THA6 Gen2 di...
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I nuovi switch PCI100x di Microchip Technology
Sono disponibili i campioni della nuova famiglia di switch PCI100x Switchtec PCIe Gen 4.0,...
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Power Integrations ha annunciato la release 3.0 di MotorXpert, una suite software concepita per...
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La memoria CXL 2.0 di Advantech
Advantech ha annunciato il rilascio del modulo di memoria SQRAM CXL 2.0 Type 3....