ROHM Semiconductor: MOSFET di potenza SiC

Pubblicato il 27 luglio 2012

ROHM Semiconductor ha recentemente annunciato lo sviluppo della sua seconda generazione di MOSFET SiC (carburo di silicio) ad alta tensione (1200V).
L’SCH2080KE è il primo MOSFET di potenza SiC che integra un SiC SBD (Schottky barrier diode) in un singolo package, mentre in precedenza doveva essere montato esternamente (ROHM comunque ha a listino anche l’SCT2080KE che invece non integra l’SBD).

Questi componenti sono destinati agli inverter per applicazioni fotovoltaiche e ai convertitori per applicazioni industriali. Tra le caratteristiche c’è la bassa perdita di potenza e l’elevata affidabilità, in modo da ridurre i consumi di energia. Il forward voltage (VF) è ridotto di oltre il 70% per una minore perdita di potenza e il ricorso a un numero inferiore di componenti.



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