SiCrystal realizza un nuovo edificio per aumentare la produzione di wafer SiC

SiCrystal, una filiale del gruppo ROHM, produce wafer in carburo di silicio monocristallino (SiC) e ha recentemente annunciato la creazione di un nuovo spazio destinato alla produzione, direttamente di fronte al sito già esistente. Il nuovo edificio offrirà ulteriori 6.000 metri quadrati di spazio e sarà dotato di tecnologie all’avanguardia per ottimizzare ulteriormente la produzione di wafer in carburo di silicio. La stretta vicinanza allo stabilimento esistente garantirà una stretta integrazione dei processi produttivi. L’azienda precisa che, nel 2027, la capacità produttiva totale di SiCrystal, compreso l’edificio esistente, sarà circa tre volte superiore rispetto al 2024.

“Il nuovo spazio aumenterà significativamente la capacità produttiva di substrati SiC e siamo orgogliosi di aver potuto accogliere il sindaco König alla cerimonia di inaugurazione”, ha affermato il Dr. Robert Eckstein, CEO di SiCrystal.

“Questa cerimonia inaugurale segna una pietra miliare importante per SiCrystal e sottolinea il nostro impegno nei confronti della regione metropolitana. In questo modo, potremo continuare a fornire in futuro prodotti innovativi della massima qualità per i nostri clienti e dare un contributo positivo alla sostenibilità globale,” ha affermato il Dott. Erwin Schmitt, COO di SiCrystal. “Con le capacità produttive aggiuntive rafforzeremo la nostra posizione sul mercato e forniremo un contributo importante allo sviluppo tecnologico nell’industria dei semiconduttori.”

Contenuti correlati

• 
  Nuovi IC per controller PWM da ROHM

  ROHM ha sviluppato una serie di nuovi circuiti integrati per controller PWM ottimizzati per l’alimentazione AC-DC in varie applicazioni industriali. A seconda dell’intervallo di tensione AC in ingresso dell’applicazione,infatti,  per il circuito di alimentazione viene utilizzata un’ampia...
• 
  I nuovi IGBT da 1200 V di ROHM

  ROHM ha sviluppato una nuova linea di IGBT da 1200 V qualificati AEC-Q101 per il settore automotive, ma utilizzabili anche per inverter per apparecchiature industriali. Questi componenti di quarta generazione sono caratterizzati da perdite minime e un’elevata...
• 
  Rete elettrica omnidirezionale: il ruolo del SiC

  La tecnologia SiC permette di aumentare l’efficienza e la densità di potenza dei convertitori di potenza utilizzati nelle cosiddette DER (Distributed Energy Resources), elementi fondamentali per supportare l’infrastruttura di ricarica durante i picchi di domanda di energia...
• 
  ROHM a electronica 2024

  ROHM Semiconductor Europe parteciperà a electronica 2024 con le sue tecnologie di potenza e analogiche, progettate per migliorare la densità di potenza, l’efficienza e l’affidabilità delle applicazioni automotive e industriali. Il tema per questa manifestazione sarà “Empowering...
• 
  Nuovi diodi Schottky da 1200 V da Toshiba

  Toshiba Electronics Europe ha aggiunto alla sua offerta dieci nuovi diodi a barriera Schottky (SBD) da 1200 V realizzati in carburo di silicio (SiC). Si tratta della serie TRSxxx120Hx, composta da cinque prodotti alloggiati in package TO-247-2L...
• 
  I MOSFET SiC di ROHM nelle automobili di Geely

  ROHM  ha annunciato l’adozione di moduli di potenza dotati di chip MOSFET SiC di quarta generazione per gli inverter di trazione in tre modelli del marchio ZEEKR EV di Zhejiang Geely Holding Group (Geely), casa automobilistica cinese....
• 
  ROHM firma un accordo di fornitura con UAES

  UAES (United Automotive Electronic Systems), uno dei principali fornitori automotive in Cina, e ROHM hanno recentemente firmato un accordo per la fornitura a lungo termine di dispositivi di potenza SiC. Le due aziende collaborano da tempo (dal...
• 
  I vantaggi dell’analogico e del digitale per la soluzione LogiCoA di ROHM

  ROHM ha creato LogiCoA, una innovativa soluzione di alimentazione per apparecchiature industriali e consumer di piccola e media potenza (da 30 W a 1 kW) che fornisce le stesse funzionalità degli alimentatori con controllo completamente digitale a...
• 
  ROHM: TRCDRIVE pack per ridurre le dimensioni degli inverter dei veicoli elettrici

  ROHM, nell’ambito della gamma TRCDRIVE pack, ha sviluppato quattro modelli con moduli SiC 2 in 1. Si tratta di due varianti da 750 V nominali (BSTxxxD08P4A1x4) e due varianti da 1.200 V nominali (BSTxxxD12P4A1x1) ottimizzati per gli...
• 
  onsemi investe in Repubblica Ceca per ampliare la produzione SiC

  onsemi  realizzerà in Repubblica Ceca un impianto per la produzione di componenti in carburo di silicio (SiC). Il sito produrrà i semiconduttori di potenza necessari per migliorare l’efficienza energetica delle applicazioni nei veicoli elettrici, nelle energie rinnovabili...