SiCrystal realizza un nuovo edificio per aumentare la produzione di wafer SiC

SiCrystal, una filiale del gruppo ROHM, produce wafer in carburo di silicio monocristallino (SiC) e ha recentemente annunciato la creazione di un nuovo spazio destinato alla produzione, direttamente di fronte al sito già esistente. Il nuovo edificio offrirà ulteriori 6.000 metri quadrati di spazio e sarà dotato di tecnologie all’avanguardia per ottimizzare ulteriormente la produzione di wafer in carburo di silicio. La stretta vicinanza allo stabilimento esistente garantirà una stretta integrazione dei processi produttivi. L’azienda precisa che, nel 2027, la capacità produttiva totale di SiCrystal, compreso l’edificio esistente, sarà circa tre volte superiore rispetto al 2024.

“Il nuovo spazio aumenterà significativamente la capacità produttiva di substrati SiC e siamo orgogliosi di aver potuto accogliere il sindaco König alla cerimonia di inaugurazione”, ha affermato il Dr. Robert Eckstein, CEO di SiCrystal.

“Questa cerimonia inaugurale segna una pietra miliare importante per SiCrystal e sottolinea il nostro impegno nei confronti della regione metropolitana. In questo modo, potremo continuare a fornire in futuro prodotti innovativi della massima qualità per i nostri clienti e dare un contributo positivo alla sostenibilità globale,” ha affermato il Dott. Erwin Schmitt, COO di SiCrystal. “Con le capacità produttive aggiuntive rafforzeremo la nostra posizione sul mercato e forniremo un contributo importante allo sviluppo tecnologico nell’industria dei semiconduttori.”

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