ROHM e LEADRIVE istituiscono un laboratorio congiunto per la tecnologia SiC

Pubblicato il 9 luglio 2020

ROHM e Leadrive Technology hanno inaugurato un laboratorio congiunto per la tecnologia SiC  situato nella China (Shanghai) Pilot Free Trade Zone.

Le due aziende hanno attivato dal 2017, nell’ambito di una reciproca collaborazione, scambi tecnici in merito ad applicazioni del settore automotive che utilizzano dispositivi di potenza SiC.

L’istituzione di un laboratorio di ricerca congiunto imperniato su moduli ed inverter di potenza dei veicoli che utilizzano i chip MOSFET SiC e i gate driver isolati di ROHM darà l’opportunità ad entrambe le aziende di accelerare ulteriormente lo sviluppo di soluzioni di potenza innovative.

“L’adozione di moduli di potenza che integrano chip in SiC per i veicoli a nuove energie diventerà un trend del settore nel giro del prossimo biennio. La commercializzazione di dispositivi maturi in SiC attraverso risorse recuperate in tutto il mondo e attività di R&D ci conferisce un vantaggio competitivo in quanto azienda produttrice Tier 1 nel settore automotive”, ha dichiarato il Dr. Jie Shen, Presidente e Direttore Generale di Leadrive Technology (Shanghai) Co., Ltd.

“Nella veste di azienda pionieristica e leader nella fornitura di dispositivi di potenza SiC, ROHM vanta notevoli credenziali nel campo delle soluzioni di potenza di alta qualità che coniugano la tecnologia di dispositivi ai vertici del settore con i circuiti driver integrati, inoltre ci prodighiamo nella promozione dell’uso del SiC in applicazioni xEV”, ha aggiunto il Dr. Kazuhide Ino, membro del C.d.A., dirigente aziendale, CSO e Direttore responsabile della business unit Power Device in ROHM Co., Ltd. “La comprensione delle esigenze dei clienti e dei trend di mercato è estremamente importante quando si sviluppa una tecnologia dei dispositivi di potenza SiC. LEADRIVE riveste un importante ruolo nella ricerca applicata sul SiC, in qualità di azienda produttrice di moduli di potenza ed inverter per il settore automotive. Attraverso questo laboratorio di ricerca congiunto possiamo consolidare la nostra partnership e contribuire all’innovazione tecnica di soluzioni di potenza per il settore automotive imperniate sul SiC”, ha concluso il Dr. Ino.



Contenuti correlati

  • ROHM
    ROHM e TSMC collaborano per lo sviluppo della tecnologia GaN per l’automotive

    La nuova partnership strategica tra ROHM e TSMC è focalizzata sullo sviluppo e la produzione in serie di dispositivi di potenza al nitruro di gallio (GaN) destinati ad applicazioni per veicoli elettrici. Il contributo di ROHM sarà...

  • ROHM
    Valeo e ROHM per l’elettronica di potenza di prossima generazione

    ROHM Semiconductor e Valeo stanno sviluppando congiuntamente la prossima generazione di moduli di potenza per gli inverter dei motori elettrici, combinando le rispettive competenze nella gestione dell’elettronica di potenza. Come primo passo, ROHM fornirà a Valeo il...

  • ROHM
    Nuovi IC per controller PWM da ROHM

    ROHM ha sviluppato una serie di nuovi circuiti integrati per controller PWM ottimizzati per l’alimentazione AC-DC in varie applicazioni industriali. A seconda dell’intervallo di tensione AC in ingresso dell’applicazione,infatti,  per il circuito di alimentazione viene utilizzata un’ampia...

  • ROHM
    I nuovi IGBT da 1200 V di ROHM

    ROHM ha sviluppato una nuova linea di IGBT da 1200 V qualificati AEC-Q101 per il settore automotive, ma utilizzabili anche per inverter per apparecchiature industriali. Questi componenti di quarta generazione sono caratterizzati da perdite minime e un’elevata...

  • Rete elettrica omnidirezionale: il ruolo del SiC

    La tecnologia SiC permette di aumentare l’efficienza e la densità di potenza dei convertitori di potenza utilizzati nelle cosiddette DER (Distributed Energy Resources), elementi fondamentali per supportare l’infrastruttura di ricarica durante i picchi di domanda di energia...

  • ROHM
    ROHM a electronica 2024

    ROHM Semiconductor Europe parteciperà a electronica 2024 con le sue tecnologie di potenza e analogiche, progettate per migliorare la densità di potenza, l’efficienza e l’affidabilità delle applicazioni automotive e industriali. Il tema per questa manifestazione sarà “Empowering...

  • Toshiba
    Nuovi diodi Schottky da 1200 V da Toshiba

    Toshiba Electronics Europe ha aggiunto alla sua offerta dieci nuovi diodi a barriera Schottky (SBD) da 1200 V realizzati in carburo di silicio (SiC). Si tratta della serie TRSxxx120Hx, composta da cinque prodotti alloggiati in package TO-247-2L...

  • ROHM
    I MOSFET SiC di ROHM nelle automobili di Geely

    ROHM  ha annunciato l’adozione di moduli di potenza dotati di chip MOSFET SiC di quarta generazione per gli inverter di trazione in tre modelli del marchio ZEEKR EV di Zhejiang Geely Holding Group (Geely), casa automobilistica cinese....

  • ROHM
    ROHM firma un accordo di fornitura con UAES

    UAES (United Automotive Electronic Systems), uno dei principali fornitori automotive in Cina, e ROHM hanno recentemente firmato un accordo per la fornitura a lungo termine di dispositivi di potenza SiC. Le due aziende collaborano da tempo (dal...

  • SiCrystal
    SiCrystal realizza un nuovo edificio per aumentare la produzione di wafer SiC

    SiCrystal, una filiale del gruppo ROHM, produce wafer in carburo di silicio monocristallino (SiC) e ha recentemente annunciato la creazione di un nuovo spazio destinato alla produzione, direttamente di fronte al sito già esistente. Il nuovo edificio...

Scopri le novità scelte per te x