ON Semiconductor amplia l’offerta di IGBT e gate driver

ON Semiconductor ha recentemente presentato un nuovo IGBT ibrido basato su carburo di silicio (SiC) e una serie di nuovi gate driver.

Il modello AFGHL50T65SQDC è formato da un IGBT realizzato con la più recente tecnologia Field-Stop e da un diodo Schottky realizzato in carburo di silicio (SiC) per garantire basse perdite in applicazioni come per esempio i circuiti PFC (Poter Factor Correction) di tipo BTP (Bridgeless Totem Pole) e gli inverter. Il dispositivo integra in un unico package i due componenti.

Questo nuovo componente può operare con una tensione nominale di 650 V ed è in grado di gestire correnti continue fino a 100 A a 25 °C (50 A a 100 °C), oltre a correnti di tipo impulsivo fino a 200 A.

ON Semiconductor ha presentato anche una nuova gamma di driver per IGBT ad alta corrente isolati. I dispositivi della serie NCD(V)57000 sono destinati all’uso in una vasta gamma di applicazioni di potenza tra cui inverter fotovoltaici, azionamenti per motori, sistemi UPS (Uninterruptible Power System), oltre che nel settore automotive in applicazioni quali gruppo propulsore/trasmissione e riscaldatori PTC.

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