Nuovi MOSFET di potenza miniaturizzati a supergiunzione da 600 V

Toshiba Electronics Europe ha annunciato che la nuova generazione di MOSFET di potenza a supergiunzione (SJ) in tecnologia DTMOS-IV sarà disponibile per la prima volta in contenitori DFN piccoli e sottili. I nuovi MOSFET DTMOS-IV da 600 V con sistema di incapsulamento DFN saranno particolarmente adatti per realizzare alimentatori ad elevata velocità di commutazione, ballast per lampade a scarica e altre applicazioni che richiedono alternative dall’ingombro ridotto ai tradizionali formati D2PAK e DPAK.

Con correnti nominali nell’intervallo da 9,7 A fino a oltre i 30 A, i nuovi dispositivi della famiglia di MOSFET da 600 V TKxV60W possiedono una bassissima resistenza di conduzione (RDS(ON)) nel range da 0,38 Ω a soli 0,098 Ω. L’eccellente cifra di merito RDS(ON)*Qg garantisce una commutazione altamente efficiente, mentre la piccola capacità di uscita (Coss) permette un funzionamento ottimizzato per i carichi leggeri. Entrambi i dispositivi comprendono anche un ulteriore contatto sensore per il collegamento diretto al circuito di pilotaggio.

Il processo DTMOS-IV di Toshiba permette di realizzare dei MOSFET che presentano per RDS(ON) un coefficiente di temperatura migliore dei dispositivi alternativi. Ciò permette di ottenere una maggiore efficienza anche con elevate temperature di funzionamento. Come con gli altri dispositivi Toshiba ad architettura DTMOS-IV, i nuovi MOSFET DFN possiedono una capacità (Cgd) di gate-drain ottimizzata che offre un migliore controllo di commutazione dv/dt. Il supporto a valori inferiori di dv/dt contribuisce inoltre a ridurre la tendenza all’effetto di oscillazione (ringing) in circuiti di commutazione ad alta velocità.

Con dimensioni di 8 mm x 8 mm, il contenitore DFN presenta un ingombro superficiale del 20% più piccolo rispetto a un contenitore D2PAK. Lo spessore di soli 0,85 mm è quasi tre volte più sottile rispetto al tradizionale DPAK e oltre cinque volte più sottile rispetto al D2PAK.

Toshiba utilizza il processo a trincea profonda nel MOSFET DTMOS-IV a supergiunzione di quarta generazione con tecnologia monoepitassiale. Ciò permette di ottenere un passo di trincea più stretto rispetto al processo (multiepitassiale) di terza generazione, con una resistenza di conduzione migliore del 30% per una specifica superficie del die.

 

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