MOSFET per applicazioni ad alta temperatura da Rutronik

Rutronik ha annunciato la disponibilità del MOSFET di potenza serie E SIHD180N60ET4-GE3 di Vishay. I MOSFET ad alte prestazioni sono caratterizzati dalla loro bassa resistenza RDS(on) di 0,17 Ω, nonché da una bassa capacità di ingresso (CISS) di 1.080 pF e ridotte perdite di commutazione e di potenza. I componenti sono utilizzabili per applicazioni ad alte temperature di esercizio nei settori industriale, dell’alimentazione elettrica, delle energie rinnovabili, dell’illuminazione e delle telecomunicazioni.

I nuovi MOSFET utilizzano la tecnologia di quarta generazione della serie E di Vishay, sono caratterizzati da una bassa capacità di uscita di 39 pF e un basso FOM. Sono particolarmente adatti per applicazioni come alimentatori switching, caricabatterie, inverter fotovoltaici o lampade fluorescenti con reattori.

Contenuti correlati

• 
  Infineon premia Rutronik per l’automotive

  Infineon ha assegnato a Rutronik  il riconoscimento Best Automotive Demand Creation Distributor durante la conferenza FAST 2024 di Infineon a Dresda. Il premio riconosce i contributi del distributore all’orientamento della domanda e alla promozione dell’innovazione nel settore...
• 
  Nexperia estende l’offerta di MOSFET NextPower

  Nexperia ha rilasciato diversi nuovi dispositivi MOSFET NextPower a 80 V e 100 V con il package LFPAK caratterizzato da ingombri di 5×6 mm e 8×8 mm. Questi nuovi MOSFET NextPower 80/100 V sono ottimizzati per ottenere...
• 
  Microcontrollori per impianti industriali di alta fascia

  Nelle applicazioni di robotica e negli azionamenti industriali, che richiedono la diversificazione tecnologica, la massima potenza di calcolo ed elevati livelli di sicurezza, il microcontrollore riveste un ruolo essenziale Leggi l’articolo completo su EO520
• 
  I nuovi condensatori KEMET della serie APL90 disponibili da Rutronik

  La serie APL90 di KEMET è stata aggiunta all’offerta di condensatori di Rutronik. Questi componenti, qualificati AEC-Q200, sono particolarmente adatti per soddisfare i requisiti delle applicazioni e delle piattaforme di veicoli a 48 V. La serie APL90...
• 
  Magnachip presenta il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione

  Magnachip Semiconductor ha rilasciato il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione, utilizzabile per i circuiti di protezione della batteria degli smartphone. Magnachip ha utilizzato per la prima volta la sua tecnologia proprietaria Super-Short Channel FET II...
• 
  Accordo di distribuzione globale tra Su’scon e Rutronik

  Rutronik e Su’scon, azienda con sede a Taipei e focalizzata sui condensatori elettrolitici in alluminio, hanno firmato un accordo di distribuzione globale. “La filosofia di Su’scon è quella di migliorare costantemente la tecnologia, l’innovazione e il funzionamento...
• 
  TTI Europe: disponibili i nuovi MOSFET di potenza di Vishay

  Il distributore TTI IP&E – Europe ha annunciato la disponibilità dei MOSFET di potenza di Vishay SiHR080N60E Serie E di quarta generazione a 600 V. Questo dispositivo è caratterizzato da un’elevata efficienza e densità di potenza e...
• 
  Toshiba amplia la gamma di MOSFET U-MOS X-H a canale N da 150 V

  I nuovi TPH1100CQ5 e TPH1400CQ5 sono MOSFET di potenza a canale N da 150 V di Toshiba Electronics Europe progettati specificamente per l’utilizzo negli alimentatori a commutazione ad alte prestazioni. Questi componenti utilizzano il processo U-MOS XH...
• 
  Rutronik estende l’offerta di connettori Molex

  Rutronik ha aggiunto al suo portafoglio altri connettori USB Type-C compatti di Molex. Questi componenti sono offerti in vari fattori di forma e con diverse opzioni di montaggio. La famiglia estesa di connettori USB Type-C compatti di...
• 
  Creare spazio per il futuro della mobilità

  Grazie all’utilizzo di schede come RDK4, realizzata da Rutronik System Solutions, OEM e fornitori Tier 1 che operano nel settore automotive possono liberare risorse per lo sviluppo di nuove applicazioni Leggi l’articolo completo su EO519