Nuovi diodi Schottky da 1200 V da Toshiba

Toshiba Electronics Europe ha aggiunto alla sua offerta dieci nuovi diodi a barriera Schottky (SBD) da 1200 V realizzati in carburo di silicio (SiC). Si tratta della serie TRSxxx120Hx, composta da cinque prodotti alloggiati in package TO-247-2L e cinque prodotti in package TO-247.

Questi componenti sono utilizzabili per migliorare l’efficienza di apparecchiature industriali come gli inverter fotovoltaici, le stazioni di ricarica dei veicoli elettrici (EV) e gli alimentatori a commutazione.

La serie TRSxxx120Hx consente di ottenere una tensione diretta (VF) molto bassa di 1,27 V (tip). La giunzione PiN-Schottky integrata in una struttura JBS riduce le perdite dei diodi in condizioni di corrente elevata. Il diodo TRS40N120H della nuova serie può ricevere una corrente continua diretta (IF(DC)) di 40 A (max) e una corrente di picco diretta non ripetitiva (IFSM) di 270 A (max), con una temperatura massima del case (TC) per tutti i dispositivi che è pari a +175 °C.

Il produttore sottolinea che, grazie agli effetti combinati di una minore carica capacitiva e dei valori inferiori di corrente di dispersione, questi nuovi prodotti contribuiscono a migliorare l’efficienza del sistema e a semplificare il progetto termico. Per esempio, in presenza di una tensione inversa (VR) di 1200 V, il diodo TRS20H120H alloggiato nel package TO-247-2L fornisce una carica capacitiva totale (QC) di 109 nC e una corrente inversa (IR) di 2 µA.

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