MOSFET in contenitori ad alta dissipazione di potenza per sistemi di ricarica ad alta corrente

Toshiba Electronics Europe ha annunciato due MOSFET ultracompatti in contenitori ad alta dissipazione di potenza specificamente sviluppati per gestire le elevate correnti di carica richieste nei nuovi dispositivi mobili in commercio.

I MOSFET SSM6K781G a canale N e SSM6J771G a canale P sono entrambi disponibili in contenitori miniaturizzati di tipo WCSP6C (Wafer-level Chip Scale Package) da 1,5 mm x 1,0 mm, che offrono una potenza nominale di dissipazione (PD) pari a 1,2 W. Il contenitore WCSP6C è la scelta ottimale in applicazioni in cui lo spazio sulla scheda è ridotto al minimo, dal momento che la capacità di dissipazione di potenza di questi contenitori è maggiore rispetto ai classici contenitori di tipo stampato. Ciò rende i MOSFET la soluzione ideale nei sistemi di commutazione di potenza dei circuiti di ricarica dei nuovi tablet, telefonini e altri dispositivi mobili di dimensioni ridotte in cui vengono richieste correnti elevate al fine di minimizzare i tempi di ricarica.

I nuovi dispositivi Toshiba combinano una bassa resistenza di conduzione (RDS(ON)) con una capacità molto bassa e possono essere utilizzati nella ricarica delle batterie e nei sistemi di conversione DC/DC. I valori tipici di RDS(ON) sono di 14 mΩ (VGSS = 4,5 V) per il modello SSM6K781G a canale N e di 26 mΩ (VGSS = –4,5 V) per il modello SSM6J771G a canale P.

Il MOSFET SSM6K781G ha una corrente continua nominale di 7 A, mentre il SSM6J771G può gestire fino a –5 A ed è particolarmente adatto a sistemi di ricarica a doppia cella, grazie all’elevata tensione nominale di gate-source VGSS = +/-12V.

 

lv

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