IR: Mosfet per applicazioni automobilistiche

Pubblicato il 16 settembre 2011

I nuovi e robusti dispositivi sono realizzati da International Rectifier con una tecnologia planare che garantisce una bassa RDS(on) e sono disponibili con tensioni nominali da 40 V a 75 V in vari tipi di contenitori adatti al montaggio superficiale (SMD) e a inserzione. Il dispositivo AUIRL1404S è un Mosfet con gate a livello logico offerto con tensione nominale di 40 V, mentre gli altri dispositivi appartenenti a questa nuova famiglia sono dei Mosfet con gate standard e tensioni nominali di 40 V, 55 V e 75 V.

Realizzati sfruttando la tecnologia di IR, i dispositivi MosfetT planari offrono buone prestazioni nella regione di funzionamento lineare. L’ampia gamma di tensioni disponibili li rende anche adatti alle applicazioni nei veicoli che utilizzano una tensione di alimentazione più elevata, come i camion.

Tutti i Mosfet per auto di IR sono sottoposti a collaudi statici e dinamici con metodologie statistiche PAT (Part Average Testing) combinate con l’ispezione ottica automatica al 100% a livello di wafer e rientrano nel programma di qualità per il settore automobilistico di IR con l’obiettivo zero difetti.



Contenuti correlati

  • Rutronik
    MOSFET per applicazioni ad alta temperatura da Rutronik

    Rutronik ha annunciato la disponibilità del MOSFET di potenza serie E SIHD180N60ET4-GE3 di Vishay. I MOSFET ad alte prestazioni sono caratterizzati dalla loro bassa resistenza RDS(on) di 0,17 Ω, nonché da una bassa capacità di ingresso (CISS)...

  • Nexperia
    Nexperia estende l’offerta di MOSFET NextPower

    Nexperia ha rilasciato diversi nuovi dispositivi MOSFET NextPower a 80 V e 100 V con il package LFPAK caratterizzato da ingombri di 5×6 mm e 8×8 mm. Questi nuovi MOSFET NextPower 80/100 V sono ottimizzati per ottenere...

  • Magnachip
    Magnachip presenta il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione

    Magnachip Semiconductor ha rilasciato il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione, utilizzabile per i circuiti di protezione della batteria degli smartphone. Magnachip ha utilizzato per la prima volta la sua tecnologia proprietaria Super-Short Channel FET II...

  • TTI
    TTI Europe: disponibili i nuovi MOSFET di potenza di Vishay

    Il distributore TTI IP&E – Europe ha annunciato la disponibilità dei MOSFET di potenza di Vishay SiHR080N60E Serie E di quarta generazione a 600 V. Questo dispositivo è caratterizzato da un’elevata efficienza e densità di potenza e...

  • Toshiba
    Toshiba amplia la gamma di MOSFET U-MOS X-H a canale N da 150 V

    I nuovi TPH1100CQ5 e TPH1400CQ5 sono MOSFET di potenza a canale N da 150 V di Toshiba Electronics Europe progettati specificamente per l’utilizzo negli alimentatori a commutazione ad alte prestazioni. Questi componenti utilizzano il processo U-MOS XH...

  • Microchip
    Qualificazione ELDRS per i transistor JAN di Microchip

    Microchip Technology ha annunciato che i suoi transistor JAN (Joint Army Navy) sono stati testati e qualificati per i requisiti dello Standard Militare Enhanced Low Dose Radiation Sensitivity (ELDRS) tra cui MIL-STD-750, Test Method 1019 e specifiche...

  • Il GaN nella progettazione di alimentatori: vantaggi e sfide

    I transistor GaN aprono la strada allo sviluppo di progetti di alimentatori caratterizzati da efficienze più elevate, densità di potenza maggiori e fattori di forma più ridotti Leggi l’articolo completo su EO Power 35

  • Ween
    WeEn Semiconductors: tecnologie SiC in packaging TSPAK

    WeEn Semiconductors ha presentato a PCIM 2024 le sue nuove famiglie di MOSFET al carburo di silicio (SiC) e diodi a barriera Schottky (SBD) nel packaging TSPAK che offre prestazioni termiche particolarmente interessanti. L’evento di Norimberga è...

  • Infineon
    Infineon presenta i MOSFET OptiMOS 7 da 80 V per applicazioni automotive

    Infineon Technologies ha introdotto il primo prodotto nella sua nuova tecnologia MOSFET OptiMOS 7 80 V. Siglato IAUCN08S7N013, il nuovo componente offre una densità di potenza particolarmente elevata ed è disponibile nel package SMD SSO8 5 x...

  • Infineon
    Infineon presenta i MOSFET OptiMOS 6 da 200 V

    Infineon Technologies ha annunciato la famiglia di MOSFET OptiMOS 6 da 200 V. La nuova gamma è progettata per offrire prestazioni ottimali in applicazioni quali scooter elettrici, micro-veicoli elettrici e carrelli elevatori elettrici. Il produttore precisa che...

Scopri le novità scelte per te x