Innoscience esordisce in Europa al PCIM Europe

Innoscience Technology ha scelto PCIM Europe 2022 per il suo esordio in Europa. La manifestazione, che si terrà dal 10 al 12 maggio 2022 alla Nuremberg Messe di Norimberga, è dedicata all’elettronica di potenza ed è l’occasione anche per numerosi convegni. Tra i relatori prescelti per intervenire a questo evento internazionale c’è il Dott. Denis Marcon, Direttore generale Innoscience Europe che terrà una presentazione intitolata: “Abbattere le ultime barriere che si frappongono all’adozione diffusa dei transistor di potenza al GaN”.

Spiega Marcon: “Molti ingegneri elettronici comprendono già il vantaggio dell’uso dei transistor al GaN nei loro sistemi di potenza, che risultano così più efficienti, più compatti, più leggeri e anche più affidabili rispetto a quanto è possibile ottenere con i tradizionali dispositivi al silicio. Ma esistono due barriere da superare che ritardano l’adozione generalizzata della tecnologia del GaN: il costo elevato e la sicurezza delle forniture (ossia, la produzione in grandi volumi).”

Innoscience sarà presente all’evento con uno stand dove mostrerà le sue soluzioni basate su GaN, a bassa e ad alta tensione, utilizzate in varie applicazioni. L’azienda ha una capacità produttiva mensile di 10.000 wafer da 8 pollici, che prevede di aumentare a 70.000 Wpm (wafers per month) entro il 2025.

Contenuti correlati

• 
  In mostra a PCIM Europe 2024 le soluzioni di potenza EcoGaN e SiC di ROHM

  In occasione dell’edizione di quest’anno di PCIM Europe, la manifestazione che si terrà a Norimberga dal 11 al 13 giugno, ROHM presenterà le sue nuove soluzioni di semiconduttori di potenza, con un’attenzione particolare ai dispositivi wide bandgap....
• 
  Un nuovo VGAN a 100V da Innoscience Technology

  In nuovo dispositivo VGaN a 100V di Innoscience Technology  può essere utilizzato per raggiungere un’efficienza elevata nei sistemi di gestione della batteria (BMS) da 48V o 60V, oltre che in applicazioni su interruttori di carico ad alta...
• 
  Nuova famiglia di HEMT in bassa tensione da Innoscience Technology

  Innoscience Technology ha annunciato una nuova gamma di transistor HEMT discreti in bassa tensione con packaging FCQFN. La tecnologia “flip chip” semplifica l’utilizzo dei nuovi dispositivi, proposti nelle versioni a 40 V, 100 V e 150 V....
• 
  Legrand adotta la tecnologia GaN di Innoscience

  Innoscience Technology ha annunciato che la multinazionale Legrand, specializzata in infrastrutture elettriche e digitali per l’edilizia, utilizzerà i dispositivi InnoGaN nelle nuove prese elettriche per utenze domestiche per soddisfare il crescente fabbisogno di potenza di dispositivi come...
• 
  Accordo di distribuzione europeo tra Innoscience Technology e MEV Elektronik

  Innoscience Technology ha annunciato di aver firmato un accordo di distribuzione pan-europeo con il distributore tedesco MEV Elektronik Service. MEV pone particolare attenzione al servizio di assistenza e dispone, inoltre, di laboratori interni dove sviluppa le soluzioni...
• 
  Innoscience ha venduto oltre 300 milioni di chip InnoGaN

  Innoscience Technology ha annunciato di aver spedito oltre 300 milioni di chip InnoGan al nitruro di gallio fino ad agosto 2023. L’azienda ha infatti aumentato le vendite di dispositivi GaN del 500% anno su anno, a fronte...
• 
  Nuovo accordo di distribuzione fra Innoscience Technology e CODICO

  Innoscience Technology ha annunciato l’ampliamento della sua rete europea di distributori tramite un accordo con CODICO per tutti i Paesi europei. CODICO, acronimo di “The COmponent Design-In Company”, è un’azienda che si distingue da altri distributori per...
• 
  Gli HEMT VGaN bidirezionali di Innoscience per gli smartphone OnePlus

  Dopo OPPO e RealMe, anche OnePlus utilizzerà il circuito integrato VGaN bidirezionale di Innoscience Technology nella scheda di protezione della batteria installata all’interno dei propri smartphone. Il transistor HEMT INN040W048A GaN-on-Silicon e-mode di Innoscience offre funzionalità di...
• 
  Innoscience amplia la famiglia di dispositivi a 650 V

  Innoscience Technology ha realizzato una gamma di dispositivi HEMT GaN a 650 V funzionanti in modalità di arricchimento (“E-mode”).  I nuovi dispositivi InnoGaN con RDS(on) di 190 mΩ, 350 mΩ o 600 mΩ in package standard DFN...
• 
  Gli HEMT GaN bidirezionali Bi-GaN di Innoscience adottati da OPPO

  Innoscience Technology ha presentato la serie Bi-GaN di dispositivi HEMT bidirezionali per la ricarica che non generano gli incrementi di temperatura a volte riscontrati con i tradizionali dispositivi al silicio. Innoscience ha anche annunciato che OPPO utilizzerà...