Infineon aumenta l’efficienza

Pubblicato il 23 agosto 2019

Combinando MOSFET CoolSiC e IGBT TRENCHSTOP nei package Easy 2B, Infineon permette di aumentare l’efficienza dei sistemi.

Infineon utilizza infatti la topologia ANPC (advanced neutral-point-clamped) per i suoi nuovi moduli SIC ibridi e IGBT EasyPACK 2B nella famiglia di componenti a 1200 V.

Questi nuovi moduli permettono di aumentare la densità di potenza e di raggiungere una frequenza di commutazione fino a 48 kHz. Queste caratteristiche sono particolarmente apprezzabili per le esigenze delle nuove generazioni di applicazioni fotovoltaiche a 1500V e per quelle di energy storage.

La nuova tecnologia ANPC supporta un’efficienza del sistema di oltre il 99%, e il package ibrido Easy 2B offre diversi vantaggi, per esempio negli stadi DC/AC a 1500V degli inverter solari dove si possono utilizzare bobine di dimensioni inferiori. L’utilizzo della tecnologia SiC, invece, permette di ridurre le perdite e quindi la dissipazione di calore.

Un diodo integrato del corpo del chip MOSFET CoolSiC, inoltre, evita la necessità di ricorrere a un altro diodo SiC, mentre il sensore di temperatura NTC facilita il monitoraggio del dispositivo.

La tecnologia PressFIT, infine, riduce i tempi di assemblaggio per il montaggio del dispositivo.



Contenuti correlati

  • Infineon
    Infineon annuncia la disponibilità dei suoi transistor CoolGaN a 700 V

    Infineon Technologies ha presentato la nuova famiglia di prodotti CoolGaN Transistor 700 V G4. Questi dispositivi sono particolarmente efficienti e utilizzabili per applicazioni di conversione di potenza in un intervallo di tensione fino a 700 V, come...

  • onsemi
    onsemi investe in Repubblica Ceca per ampliare la produzione SiC

    onsemi  realizzerà in Repubblica Ceca un impianto per la produzione di componenti in carburo di silicio (SiC). Il sito produrrà i semiconduttori di potenza necessari per migliorare l’efficienza energetica delle applicazioni nei veicoli elettrici, nelle energie rinnovabili...

  • Infineon
    Infineon: nuove memorie F-RAM rad hard

    Infineon ha annunciato la disponibilità dei primi dispositivi di memoria non volatile F-RAM rad hard da 1 e 2 Mb con interfaccia parallela. Questi nuovi prodotti sono caratterizzati da affidabilità e resistenza, con un massimo di 120...

  • Ween
    WeEn Semiconductors: tecnologie SiC in packaging TSPAK

    WeEn Semiconductors ha presentato a PCIM 2024 le sue nuove famiglie di MOSFET al carburo di silicio (SiC) e diodi a barriera Schottky (SBD) nel packaging TSPAK che offre prestazioni termiche particolarmente interessanti. L’evento di Norimberga è...

  • STMicroelectronics
    STMicroelectronics ha scelto Catania per il suo impianto produttivo per SiC

    STMicroelectronics realizzerà a Catania un nuovo impianto per la produzione in grandi volumi di substrati SiC da 200 mm destinati a dispositivi e moduli di potenza, ma anche per implementare attività di test e packaging. L’azienda precisa...

  • element14
    element14 Community e Infineon propongono una serie di webinar su ModusToolbox

    element14 collabora con Infineon per una serie di webinar gratuiti intitolati “ModusToolbox︎ Workshops: From Getting Started to Custom Hardware” per presentare il software ModusToolbox, un’offerta Infineon utilizzata per lo sviluppo embedded. Questi webinar, condotti da Clark Jarvis,...

  • Lauterbach
    TRACE32 di Lauterbach per la piattaforma di sviluppo Rust su Infineon AURIX

    Lauterbach ha esteso il supporto dei suoi tool di sviluppo TRACE32 al compilatore HighTec Rust personalizzato per i microcontrollori Infineon AURIX TC3x e TC4x. Il debug dei programmi Rust compilati è quindi possibile anche a livello di...

  • Infineon Technologies
    Infineon Technologies presenta i MOSFET CoolSiC G2

    Infineon Technologies ha presentato la nuova generazione della tecnologia trench MOSFET al carburo di silicio (SiC). I nuovi MOSFET Infineon CoolSiC da 650 V e 1200 V di seconda generazione, sottolinea l’azienda, migliorano i dati chiave relativi...

  • CISSOID
    CISSOID: ICM SiC per la mobilità elettrica

    CISSOID ha presentato la nuova serie di ICM (moduli di controllo per inverter) SiC destinati al mercato della mobilità elettrica. Questi moduli software-powered sono progettati per semplificare lo sviluppo di drive per motori elettrici funzionalmente sicuri, robusti...

  • Infineon Technologies
    Accordo di fornitura tra Infineon Technologies e SK Siltron CSS per i wafer SiC

    Infineon Technologies ha annunciato la formalizzazione di un accordo con SK Siltron CSS, fornitore di wafer in carburo di silicio (SiC). Secondo i termini dell’accordo, SK Siltron CSS fornirà a Infineon wafer SiC da 150 millimetri, mentre...

Scopri le novità scelte per te x