I nuovi MOSFET ultracompatti di ROHM per il settore automotive
ROHM ha annunciato lo sviluppo della serie di MOSFET RV4xxx formata da dispositivi ultracompatti di dimensioni pari a 1,6×1,6 mm.
Questi MOSFET sono qualificati AEC-Q101 e assicurano affidabilità e performance idonee al settore automotive anche in condizioni estreme.
Una delle principali caratteristiche di questi nuovi componenti è l’elevata affidabilità di montaggio resa possibile dal ricorso alla tecnologia Wettable Flank per gli elettrodi laterali che permette di ottenere una qualità di saldatura costante anche per i prodotti con elettrodo inferiore (bottom electrode). In questo modo diventa possibile infatti la verifica agevole delle condizioni della saldatura dopo il montaggio tramite le macchine per l’ispezione automatica. La tecnologia Wettable Flank garantisce un’altezza dell’elettrodo lateralmente al package di 130 µm.
Per quanto riguarda le applicazioni, il tipo di package utilizzato per la serie RV4xxx può essere utile per la realizzazione di diverse tipologie di moduli dato che consente di ottenere una maggiore miniaturizzazione per i dispositivi automotive, come per esempio le telecamere ADAS.
Contenuti correlati
-
Nuovi IC per controller PWM da ROHM
ROHM ha sviluppato una serie di nuovi circuiti integrati per controller PWM ottimizzati per l’alimentazione AC-DC in varie applicazioni industriali. A seconda dell’intervallo di tensione AC in ingresso dell’applicazione,infatti, per il circuito di alimentazione viene utilizzata un’ampia...
-
I nuovi IGBT da 1200 V di ROHM
ROHM ha sviluppato una nuova linea di IGBT da 1200 V qualificati AEC-Q101 per il settore automotive, ma utilizzabili anche per inverter per apparecchiature industriali. Questi componenti di quarta generazione sono caratterizzati da perdite minime e un’elevata...
-
ROHM a electronica 2024
ROHM Semiconductor Europe parteciperà a electronica 2024 con le sue tecnologie di potenza e analogiche, progettate per migliorare la densità di potenza, l’efficienza e l’affidabilità delle applicazioni automotive e industriali. Il tema per questa manifestazione sarà “Empowering...
-
MOSFET per applicazioni ad alta temperatura da Rutronik
Rutronik ha annunciato la disponibilità del MOSFET di potenza serie E SIHD180N60ET4-GE3 di Vishay. I MOSFET ad alte prestazioni sono caratterizzati dalla loro bassa resistenza RDS(on) di 0,17 Ω, nonché da una bassa capacità di ingresso (CISS)...
-
I MOSFET SiC di ROHM nelle automobili di Geely
ROHM ha annunciato l’adozione di moduli di potenza dotati di chip MOSFET SiC di quarta generazione per gli inverter di trazione in tre modelli del marchio ZEEKR EV di Zhejiang Geely Holding Group (Geely), casa automobilistica cinese....
-
Nexperia estende l’offerta di MOSFET NextPower
Nexperia ha rilasciato diversi nuovi dispositivi MOSFET NextPower a 80 V e 100 V con il package LFPAK caratterizzato da ingombri di 5×6 mm e 8×8 mm. Questi nuovi MOSFET NextPower 80/100 V sono ottimizzati per ottenere...
-
ROHM firma un accordo di fornitura con UAES
UAES (United Automotive Electronic Systems), uno dei principali fornitori automotive in Cina, e ROHM hanno recentemente firmato un accordo per la fornitura a lungo termine di dispositivi di potenza SiC. Le due aziende collaborano da tempo (dal...
-
Magnachip presenta il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione
Magnachip Semiconductor ha rilasciato il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione, utilizzabile per i circuiti di protezione della batteria degli smartphone. Magnachip ha utilizzato per la prima volta la sua tecnologia proprietaria Super-Short Channel FET II...
-
TTI Europe: disponibili i nuovi MOSFET di potenza di Vishay
Il distributore TTI IP&E – Europe ha annunciato la disponibilità dei MOSFET di potenza di Vishay SiHR080N60E Serie E di quarta generazione a 600 V. Questo dispositivo è caratterizzato da un’elevata efficienza e densità di potenza e...
-
Toshiba amplia la gamma di MOSFET U-MOS X-H a canale N da 150 V
I nuovi TPH1100CQ5 e TPH1400CQ5 sono MOSFET di potenza a canale N da 150 V di Toshiba Electronics Europe progettati specificamente per l’utilizzo negli alimentatori a commutazione ad alte prestazioni. Questi componenti utilizzano il processo U-MOS XH...