I nuovi MOSFET di Toshiba per applicazioni automotive

Toshiba Electronics Europe ha annunciato i MOSFET a canale N a 100 V XPH4R10ANB e XPH6R30ANB per applicazioni automotive.

Disponibili con package SOP Advance (WF) a montaggio superficiale, questi componenti sono stati progettati specificamente per le applicazioni a 48 V e possono essere utilizzati nei convertitori boost per i generatori di avviamento integrati (ISG) e i fari a LED, oltre che per gli azionamenti dei motori, i regolatori di commutazione e gli interruttori di carico.

Entrambi i dispositivi fanno parte della serie U-MOSVIII-H di Toshiba e offrono una tensione drain-source (VDSS) di 100 V e una temperatura di funzionamento massima di 175°C.

XPH4R10ANB supporta una corrente di scarica continua massima di 70 A e di 210 A con segnali a impulsi. Questi valori per il modello XPH6R30ANB sono rispettivamente di 45 A e 135 A.

XPH4R10ANB offre una RDS(ON) pari a 4,1 mΩ, che riduce significativamente le perdite di sistema.

Il package utilizzato consente l’uso di tecniche di ispezione ottica automatizzata (AOI) per garantire la qualità dei giunti di saldatura.

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