I nuovi MOSFET a canale P di 5a generazione di ROHM

ROHM ha sviluppato nuovi MOSFET a canale P con bassa resistenza di ON e tensione a -40 V/-60 V compatibili con ingressi a 24 V utilizzando un processo di 5a generazione.

La tecnologia utilizzata permette di ottenere una resistenza di ON inferiore del 62% rispetto ai prodotti convenzionali per quanto riguarda i prodotti nuovi con tenuta di tensione di -40 V e del 52% per i nuovi prodotti con tenuta di tensione di – 60 V.

Allo stesso tempo la qualità è stata migliorata ottimizzando la struttura del dispositivo ed adottando un nuovo design che attenua la concentrazione del campo elettrico. Il risultato che si ottiene è sia un’elevata affidabilità che una bassa resistenza di ON (tipici di una relazione di bilanciamento). Queste soluzioni contribuiscono ad una stabilità di funzionamento a lungo termine in apparecchiature industriali che richiedono la massima qualità.

La linea comprende 24 modelli disponibili sia in configurazione singola che duale.

Questi MOSFET possono essere utilizzati per applicazioni industriali e consumer come l’automazione industriale, la robotica e gli impianti di condizionamento dell’aria.

Contenuti correlati

• 
  ROHM e TSMC collaborano per lo sviluppo della tecnologia GaN per l’automotive

  La nuova partnership strategica tra ROHM e TSMC è focalizzata sullo sviluppo e la produzione in serie di dispositivi di potenza al nitruro di gallio (GaN) destinati ad applicazioni per veicoli elettrici. Il contributo di ROHM sarà...
• 
  Valeo e ROHM per l’elettronica di potenza di prossima generazione

  ROHM Semiconductor e Valeo stanno sviluppando congiuntamente la prossima generazione di moduli di potenza per gli inverter dei motori elettrici, combinando le rispettive competenze nella gestione dell’elettronica di potenza. Come primo passo, ROHM fornirà a Valeo il...
• 
  Nuovi IC per controller PWM da ROHM

  ROHM ha sviluppato una serie di nuovi circuiti integrati per controller PWM ottimizzati per l’alimentazione AC-DC in varie applicazioni industriali. A seconda dell’intervallo di tensione AC in ingresso dell’applicazione,infatti,  per il circuito di alimentazione viene utilizzata un’ampia...
• 
  I nuovi IGBT da 1200 V di ROHM

  ROHM ha sviluppato una nuova linea di IGBT da 1200 V qualificati AEC-Q101 per il settore automotive, ma utilizzabili anche per inverter per apparecchiature industriali. Questi componenti di quarta generazione sono caratterizzati da perdite minime e un’elevata...
• 
  ROHM a electronica 2024

  ROHM Semiconductor Europe parteciperà a electronica 2024 con le sue tecnologie di potenza e analogiche, progettate per migliorare la densità di potenza, l’efficienza e l’affidabilità delle applicazioni automotive e industriali. Il tema per questa manifestazione sarà “Empowering...
• 
  MOSFET per applicazioni ad alta temperatura da Rutronik

  Rutronik ha annunciato la disponibilità del MOSFET di potenza serie E SIHD180N60ET4-GE3 di Vishay. I MOSFET ad alte prestazioni sono caratterizzati dalla loro bassa resistenza RDS(on) di 0,17 Ω, nonché da una bassa capacità di ingresso (CISS)...
• 
  I MOSFET SiC di ROHM nelle automobili di Geely

  ROHM  ha annunciato l’adozione di moduli di potenza dotati di chip MOSFET SiC di quarta generazione per gli inverter di trazione in tre modelli del marchio ZEEKR EV di Zhejiang Geely Holding Group (Geely), casa automobilistica cinese....
• 
  Nexperia estende l’offerta di MOSFET NextPower

  Nexperia ha rilasciato diversi nuovi dispositivi MOSFET NextPower a 80 V e 100 V con il package LFPAK caratterizzato da ingombri di 5×6 mm e 8×8 mm. Questi nuovi MOSFET NextPower 80/100 V sono ottimizzati per ottenere...
• 
  ROHM firma un accordo di fornitura con UAES

  UAES (United Automotive Electronic Systems), uno dei principali fornitori automotive in Cina, e ROHM hanno recentemente firmato un accordo per la fornitura a lungo termine di dispositivi di potenza SiC. Le due aziende collaborano da tempo (dal...
• 
  Magnachip presenta il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione

  Magnachip Semiconductor ha rilasciato il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione, utilizzabile per i circuiti di protezione della batteria degli smartphone. Magnachip ha utilizzato per la prima volta la sua tecnologia proprietaria Super-Short Channel FET II...