I MOSFET in package DFN0603 di Nexperia
Nexperia ha rilasciato una nuova gamma di MOSFET da 20 V e 30 V nel package DFN0603. Il produttore offre già dispositivi di protezione ESD in questo formato, ma ora è riuscito a realizzare dei MOSFET con questo package.
Il package DFN0603 a profilo ultra basso, che misura solo 0,63 x 0,33 x 0,25 mm, utilizza infatti il 13% di spazio in meno rispetto ai MOSFET nel package più piccolo sinora disponibile (quello DFN0604). Questa riduzione delle dimensioni è stata ottenuta senza compromettere le prestazioni dei dispositivi: infatti l’RDS(on) di questi dispositivi è stato ridotto del 74%, contribuendo a migliorare l’efficienza e consentendo così ai progettisti di ottenere una densità di potenza ancora maggiori.
Nexperia ha precisato inoltre che ha in programma di aggiungere altri due MOSFET a questa gamma nel 2022.
Contenuti correlati
-
I nuovi convertitori DC-DC step-down di Nexperia
I nuovi convertitori DC-DC step-down ad alta efficienza e alta precisione di Nexperia sono caratterizzati da una elevata efficienza sia per lo stand-by che durante il funzionamento e offrono una elevata flessibilità per la progettazione di varie...
-
MOSFET ad alte prestazioni da Renesas
Renesas ha sviluppato nuovi MOSFET ad alta potenza, a canale N, che supportano fino a 100V. Il produttore ha puntato particolarmente sulle prestazioni per la commutazione ad alta corrente, caratteristica necessaria per applicazioni come per esempio il...
-
Nexperia potenzia la sua offerta per l’energy harvesting
Nexperia ha ampliato la sua offerta di prodotti per l’energy harvesting con la famiglia di PMIC NEH71x0. Questa linea di IC per la gestione dell’energia, a differenza di altri prodotti, elimina la necessità di un induttore esterno,...
-
Partnership strategica tra Nexperia e KOSTAL
Nexperia e KOSTAL hanno siglato una partnership strategica per lo sviluppo di dispositivi wide bandgap (WBG) in grado di soddisfare esattamente i requisiti delle applicazioni automotive. In base ai termini dell’accordo, Nexperia produrrà, svilupperà e fornirà dispositivi...
-
MOSFET per applicazioni ad alta temperatura da Rutronik
Rutronik ha annunciato la disponibilità del MOSFET di potenza serie E SIHD180N60ET4-GE3 di Vishay. I MOSFET ad alte prestazioni sono caratterizzati dalla loro bassa resistenza RDS(on) di 0,17 Ω, nonché da una bassa capacità di ingresso (CISS)...
-
Nexperia estende l’offerta di MOSFET NextPower
Nexperia ha rilasciato diversi nuovi dispositivi MOSFET NextPower a 80 V e 100 V con il package LFPAK caratterizzato da ingombri di 5×6 mm e 8×8 mm. Questi nuovi MOSFET NextPower 80/100 V sono ottimizzati per ottenere...
-
Nuovi diodi raddrizzatori da 650 V da Nexperia
Nexperia ha rilasciato i sui nuovi diodi raddrizzatori da 650 V ospitati in packaging D2PAK Real-2-Pin (R2P) per l’uso in varie applicazioni automotive, industriali e di consumo, come per esempio i sistemi di ricarica, inverter e alimentatori...
-
Magnachip presenta il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione
Magnachip Semiconductor ha rilasciato il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione, utilizzabile per i circuiti di protezione della batteria degli smartphone. Magnachip ha utilizzato per la prima volta la sua tecnologia proprietaria Super-Short Channel FET II...
-
TTI Europe: disponibili i nuovi MOSFET di potenza di Vishay
Il distributore TTI IP&E – Europe ha annunciato la disponibilità dei MOSFET di potenza di Vishay SiHR080N60E Serie E di quarta generazione a 600 V. Questo dispositivo è caratterizzato da un’elevata efficienza e densità di potenza e...
-
Toshiba amplia la gamma di MOSFET U-MOS X-H a canale N da 150 V
I nuovi TPH1100CQ5 e TPH1400CQ5 sono MOSFET di potenza a canale N da 150 V di Toshiba Electronics Europe progettati specificamente per l’utilizzo negli alimentatori a commutazione ad alte prestazioni. Questi componenti utilizzano il processo U-MOS XH...