Fujitsu: memoria FRAM con alimentazione fino a 5 V

Pubblicato il 20 dicembre 2012

Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) ha introdotto un nuovo modello all’interno della gamma di dispositivi FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) V Series. Le memorie FRAM vengono utilizzate all’interno di applicazioni come contatori elettrici, automazione industriale o sistemi di monitoraggio.

Il dispositivo, denominato MB85RC256V, presenta un più elevato livello di densità ed è il primo modulo FRAM di Fujitsu in grado di operare in un intervallo di tensioni ancora più ampio, da 2,7 a 5,5 V, consentendo una maggiore flessibilità.

Il nuovo modello V Series propone una densità di memoria di 256 Kbit con una configurazione di 32.000 word da 8 bit. Il dispositivo possiede, inoltre, interfacce seriali I²C con una frequenza operativa massima di 400 kHz e una tensione operativa compresa tra 2,7 e 4,5 V, o un massimo di 1 MHz a una tensione operativa compresa tra 4,5 e 5,5 V.

Tutti i prodotti di questa serie sono disponibili in formato plastic SOP a 8 pin compatibili EEPROM. MB85RC256V permette la permanente memorizzazione di dati a 85 °C per 10 anni, nonché una durata di 1 trilione (1012) di cicli lettura/scrittura assicurando il funzionamento in un range di temperatura industriale che va da -40 a 85 °C.
 

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