Fujitsu: al via la produzione di dispositivi di potenza GaN
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Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) nel corso del 2013 la produzione di alimentatori per server da 2,5 kW equipaggiati con dispositivi di potenza in nitruro di gallio (GaN) applicati su un substrato di silicio.
Il ricorso alla tecnologia GaN nelle unità di alimentazione consente di aumentarne l’efficienza e aiuta a ridurre l’impatto sull’ambiente. Rispetto agli alimentatori convenzionali basati su silicio, i dispositivi di potenza GaN vantano una minore ON-resistance e la capacità di effettuare operazioni ad alta frequenza.
Grazie a queste caratteristiche, che migliorano l’efficienza di conversione delle unità di alimentazione rendendole più compatte, la tecnologia GaN è ideale non solo per i server ma anche per un’ampia gamma di applicazioni come inverter solari, caricabatterie e veicoli elettrici. La produzione a volume di dispositivi di potenza GaN è prevista per la seconda metà del 2013.
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