Disponibile da Farnell la gamma di MOSFET di potenza di Toshiba

Farnell ha aggiunto alla sua offerta oltre 250 nuovi prodotti Toshiba, tra cui una nuova gamma di MOSFET di potenza a canale N. I nuovi prodotti aggiunti sono relativi sia all’alta tensione, circa 600V-650V, sia alla bassa tensione (30V-150V).

Ibtissame Krumm, Senior Supplier Account Manager di Farnell, ha dichiarato: “Il mercato globale dei semiconduttori di potenza è in rapida espansione. Sebbene la domanda di semiconduttori di potenza per le applicazioni automobilistiche sia da tempo una notizia da prima pagina, mette in ombra il fatto che esistono numerose altre applicazioni in cui la domanda sta crescendo altrettanto rapidamente, se non di più”.

“Il motore della maggior parte di queste applicazioni è il MOSFET di potenza, che oltre alle più note applicazioni automobilistiche ne comprende altre per l’energia verde, come gli inverter solari e le pompe di calore, i controlli industriali, gli alimentatori e gli elettrodomestici ricaricabili, come gli attrezzi da giardinaggio senza fili. Le prestazioni dei MOSFET di potenza sono fondamentali per quelle complessive del sistema di questi dispositivi e, per gli ingegneri addetti allo sviluppo, sono spesso il punto di partenza di ogni nuovo progetto”.

Contenuti correlati

• 
  La partnership di Toshiba con PROMISE per il CERN

  Toshiba Electronics Europe collabora da tempo con PROMISE Technology per offrire funzionalità di archiviazione dati avanzate al CERN e attualmente questo sistema di archiviazione ha raggiunto una capacità di oltre un Exabyte, ovvero mille Petabyte o un...
• 
  Partnership tra Toshiba e MIKROE

  Toshiba Electronics Europe e MIKROE hanno stretto una partnership per l’integrazione dell’IC per il controllo intelligente dei motori (SmartMCD) sulla scheda SmartMCD TB9M003FG di MIKROE. Il dispositivo SmartMCD è qualificato AEC-Q100 di classe 0, dispone di una...
• 
  Nuovi diodi Schottky da 1200 V da Toshiba

  Toshiba Electronics Europe ha aggiunto alla sua offerta dieci nuovi diodi a barriera Schottky (SBD) da 1200 V realizzati in carburo di silicio (SiC). Si tratta della serie TRSxxx120Hx, composta da cinque prodotti alloggiati in package TO-247-2L...
• 
  Due switch da 32 Gbps da Toshiba

  Toshiba Electronics Europe ha esteso al sua offerta di switch con due nuovi modelli  multiplexer/demultiplexer (Mux/De-Mux) per canali differenziali ad alta velocità, i TDS4A212MX e TDS4B212MX. Questi dispositivi sono stati progettati per la trasmissione dei segnali differenziali...
• 
  MOSFET per applicazioni ad alta temperatura da Rutronik

  Rutronik ha annunciato la disponibilità del MOSFET di potenza serie E SIHD180N60ET4-GE3 di Vishay. I MOSFET ad alte prestazioni sono caratterizzati dalla loro bassa resistenza RDS(on) di 0,17 Ω, nonché da una bassa capacità di ingresso (CISS)...
• 
  Nexperia estende l’offerta di MOSFET NextPower

  Nexperia ha rilasciato diversi nuovi dispositivi MOSFET NextPower a 80 V e 100 V con il package LFPAK caratterizzato da ingombri di 5×6 mm e 8×8 mm. Questi nuovi MOSFET NextPower 80/100 V sono ottimizzati per ottenere...
• 
  Magnachip presenta il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione

  Magnachip Semiconductor ha rilasciato il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione, utilizzabile per i circuiti di protezione della batteria degli smartphone. Magnachip ha utilizzato per la prima volta la sua tecnologia proprietaria Super-Short Channel FET II...
• 
  TTI Europe: disponibili i nuovi MOSFET di potenza di Vishay

  Il distributore TTI IP&E – Europe ha annunciato la disponibilità dei MOSFET di potenza di Vishay SiHR080N60E Serie E di quarta generazione a 600 V. Questo dispositivo è caratterizzato da un’elevata efficienza e densità di potenza e...
• 
  Toshiba amplia la gamma di MOSFET U-MOS X-H a canale N da 150 V

  I nuovi TPH1100CQ5 e TPH1400CQ5 sono MOSFET di potenza a canale N da 150 V di Toshiba Electronics Europe progettati specificamente per l’utilizzo negli alimentatori a commutazione ad alte prestazioni. Questi componenti utilizzano il processo U-MOS XH...
• 
  Un webinar sull’integrazione tra sensori e cloud da Avnet e Farnell

  Il 24 luglio 2024 alle ore 16.00 (ora legale britannica) Farnell, in collaborazione con Avnet, terrà il webinar intitolato “Start your IIoT Journey with Seamless Sensor to Cloud Integration” focalizzato sull’integrazione del kit di sensori connessi (CSK)...