Cree: modulo Power All-SiC 1.7kV

Cree ha annunciato l’uscita del modulo di potenza all-SiC 1.7kV, in un alloggiamento da 62 millimetri standard del settore. Il nuovo modulo con tecnologia chip SiC di Cree presenta un’impressionante resistenza e maggiore efficienza rispetto al silicio, in grado di sostituire i moduli Si IGBT a 400 A. Le prestazioni rivoluzionarie del nuovo modulo di potenza permette ai progettisti di ridurre contemporaneamente le dimensioni e il costo degli elementi magnetici e di raffreddamento, raggiungendo ottimi valori di efficienza del sistema complessivo e minori costi di produzione.

Il nuovo all-SiC 1.7kV, modulo half-bridge 8 MΩ è disponibile come numero di serie CAS300M17BM2 presso i distributori Mouser, Digi-Key e Richardson RFPD / Arrow RF & Power.

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