Cree: kit design MOSFET 1200 V

Cree ha introdotto un nuovo kit di progettazione MOSFET che include tutti i componenti necessari per valutare Mosfet Cree e prestazioni di diodo Schottky in un circuito half-bridge configurabile.  Facile e veloce da montare, il nuovo kit di progettazione permette prove comparative tra IGBT e MOSFET Cree, e fornisce un esempio di layout efficace.  Progettato per aiutare gli ingegneri per le più alte velocità di commutazione dei dispositivi SiC, il kit offre un facile accesso ai punti di test critici, consentendo misurazioni semplici e precise, tra cui VGS, VDS, e IDS.  Il kit è facilmente configurabile per diverse topologie di conversione di potenza in configurazione buck o boost.  Comprende due MOSFET Cree 1200 V e diodi 20A Cree Schottky in package TO-247, alimentatori e tutti gli altri componenti necessari per assemblare lo stadio di potenza. Il kit comprende anche uno schema di riferimento e il layout gate driver per MOSFET Cree TO-247, nonché un manuale d’uso completo con schemi a blocchi di base e specifiche.

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