Convertitori c.c./c.c. per gate driver: criteri di scelta
Dalla rivista:
EO Power
Dagli alimentatori agli azionamenti per motore, dalle stazioni di ricarica a una miriade di altre applicazioni, i semiconduttori di potenza a commutazione, come i MOSFET realizzati in silicio (Si), carburo di silicio (SiC) e nitruro di gallio (GaN) e i transistor bipolari a gate isolato (IGBT), sono essenziali per progettare sistemi di potenza efficienti. Tuttavia, per ottenere le massime prestazioni dal dispositivo di potenza, è necessario un gate driver appropriato
Leggi l’articolo completo su EO Power 30
Rolf Horn, Applications Engineer - Digi-Key Electronics
Contenuti correlati
-
Toshiba estende la sua gamma di gate driver
Toshiba Electronics Europe ha ampliato la sua offerta di gate driver per motori BLDC brushless trifase con due nuove serie di componenti. Siglate rispettivamente TB67Z83xxFTG (con uscita del regolatore a 3,3V) e TB67Z85xxFTG (con uscita del regolatore...
-
I nuovi moduli per gate drive di RECOM
Una nuova gamma di moduli di alimentazione isolati di RECOM offre una soluzione economica e ad alte prestazioni per applicazioni di gate drive in un compatto package SSOP SMD a 36pin (misura 12.83×7.5×3.55mm). I moduli isolati hanno...
-
MOSFET per applicazioni ad alta temperatura da Rutronik
Rutronik ha annunciato la disponibilità del MOSFET di potenza serie E SIHD180N60ET4-GE3 di Vishay. I MOSFET ad alte prestazioni sono caratterizzati dalla loro bassa resistenza RDS(on) di 0,17 Ω, nonché da una bassa capacità di ingresso (CISS)...
-
Nexperia estende l’offerta di MOSFET NextPower
Nexperia ha rilasciato diversi nuovi dispositivi MOSFET NextPower a 80 V e 100 V con il package LFPAK caratterizzato da ingombri di 5×6 mm e 8×8 mm. Questi nuovi MOSFET NextPower 80/100 V sono ottimizzati per ottenere...
-
Magnachip presenta il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione
Magnachip Semiconductor ha rilasciato il suo MOSFET MXT LV di ottava generazione, utilizzabile per i circuiti di protezione della batteria degli smartphone. Magnachip ha utilizzato per la prima volta la sua tecnologia proprietaria Super-Short Channel FET II...
-
TTI Europe: disponibili i nuovi MOSFET di potenza di Vishay
Il distributore TTI IP&E – Europe ha annunciato la disponibilità dei MOSFET di potenza di Vishay SiHR080N60E Serie E di quarta generazione a 600 V. Questo dispositivo è caratterizzato da un’elevata efficienza e densità di potenza e...
-
Toshiba amplia la gamma di MOSFET U-MOS X-H a canale N da 150 V
I nuovi TPH1100CQ5 e TPH1400CQ5 sono MOSFET di potenza a canale N da 150 V di Toshiba Electronics Europe progettati specificamente per l’utilizzo negli alimentatori a commutazione ad alte prestazioni. Questi componenti utilizzano il processo U-MOS XH...
-
WeEn Semiconductors: tecnologie SiC in packaging TSPAK
WeEn Semiconductors ha presentato a PCIM 2024 le sue nuove famiglie di MOSFET al carburo di silicio (SiC) e diodi a barriera Schottky (SBD) nel packaging TSPAK che offre prestazioni termiche particolarmente interessanti. L’evento di Norimberga è...
-
I gate driver di Power Integrations per moduli IGBT da 1,2 kV a 2,3 kV
Power Integrations ha annunciato la famiglia di gate driver SCALE-iFlex XLT. Si tratta di componenti plug & play a doppio canale utilizzabili per il funzionamento di moduli a semiconduttori singoli LV100 (Mitsubishi), XHP 2 (Infineon), HPnC (Fuji...
-
Nuovo gate driver isolato Power-Thru da Allegro MicroSystems
Allegro MicroSystems ha presentato una soluzione a doppio chip con trasformatore esterno, con l’obiettivo di offrire una elevata flessibilità ai progettisti nella realizzazione di soluzioni per le energie rinnovabili (inverter fotovoltaici), di infrastrutture di ricarica per veicoli...