Commutazioni più efficienti e affidabili con i nuovi JFET SiC da 1200V
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Dalla rivista:
Elettronica Oggi
Pubblicato il 17 dicembre 2012
La tecnologia Infineon JFET in silicio carbonio è uscita dalla fase sperimentale e consente di fabbricare transistor robusti ed efficienti, ottimi per la realizzazione degli inverter di potenza