Collaborazione fra STMicroelectronics e Semikron per le tecnologie SiC

STMicroelectronics ha comunicato di fornire tecnologie basate su carburo di silicio (SiC) per i moduli di potenza per veicoli elettrici (EV) eMPack di Semikron.
Utilizzando i parametri dei MOSFET SiC di ST, forniti in forma di ‘bare die’, Semikron ha realizzato piattaforme eMPack da 750 V e 1200 V, in grado di gestire applicazioni da 100 kW a 750 kW e per sistemi di batterie da 400 V a 800 V.
“La leadership di ST nella produzione di dispositivi SiC e le sue competenze approfondite nella tecnologia ci hanno permesso di integrare questi semiconduttori all’avanguardia con i nostri processi produttivi avanzati, che migliorano l’affidabilità, la densità di potenza e la scalabilità per soddisfare le esigenze del settore automotive”, ha dichiarato Karl-Heinz Gaubatz, Chief Executive Officer (CEO) e Chief Technical Officer (CTO) di Semikron. “Avviandoci verso la produzione in volumi, la collaborazione con ST offre la garanzia di una catena di fornitura robusta, con una gestione controllata delle prestazioni di qualità e consegna.”
“Facendo leva sulla nostra tecnologia SiC, i moduli di potenza avanzati e scalabili della famiglia eMPack di Semikron sono pronti ad apportare un contributo importante alla realizzazione di propulsori a emissioni zero,” ha detto Edoardo Merli, Direttore generale del sotto-gruppo Power Transistor ed Executive Vice President di STMicroelectronics. “Oltre al suo effetto trasformativo nel settore della mobilità elettrica, la nostra tecnologia SiC, oggi alla terza generazione, sta portando maggiore efficienza, prestazioni e affidabilità nel campo dell’energia sostenibile e nelle applicazioni di controllo della potenza in ambito industriale.”
Contenuti correlati
-
Toshiba: nuovi MOSFET in carburo di silicio da 2200V
Toshiba ha realizzato un nuovo MOSFET SiC da 2200V con diodo a barriera Schottky (SBD) integrato. Questi componenti sono utilizzabili per applicazioni a 1500V DC come, per esempio, gli inverter fotovoltaici, i caricabatterie per i veicoli elettrici,...
-
Kit per sistemi embedded: una sintetica panoramica
L’avvento dell’elettronica embedded ha rivoluzionato il modo con cui l’utente interagisce con il mondo digitale che lo circonda. Dai dispositivi indossabili ai sistemi di controllo industriale, dai veicoli autonomi agli elettrodomestici intelligenti, i sistemi embedded sono diventati...
-
Toshiba: nuovi diodi Schottky SiC da 650V con tensione diretta di 1,2V
Toshiba Electronics Europe ha presentato dodici diodi a barriera Schottky (SBD) al carburo di silicio (SiC) da 650V basati sulla più recente tecnologia di terza generazione dell’azienda. I nuovi dispositivi sono specificamente destinati all’utilizzo in apparecchi industriali...
-
Da Microchip Technology la E-Fuse Demonstrator board
Microchip Technology ha presentato la E-Fuse Demonstrator Board, abilitata dalla tecnologia al carburo di silicio (SiC), disponibile in sei varianti per sistemi di batterie da 400-800 V e con una corrente nominale di fino a 30 ampere....
-
GlobalFoundries e STMicroelectronics finalizzano l’accordo per nuovo impianto in Francia
STMicroelectronics e GlobalFoundries hanno concluso l’accordo per creare il nuovo impianto a Crolles, in Francia, annunciato l’11 luglio 2022. Si tratta di un impianto a 300 mm a gestione congiunta per la produzione in grandi volumi di...
-
Tektronix annuncia una funzione di Double Pulse Test per accelerare i tempi di validazione di tecnologie SiC e GaN
Tektronix ha rilasciato una nuova versione del pacchetto software relativo alla funzione Double Pulse Test (soluzione WBG-DPT). Questa soluzione è in grado di fornire misurazioni automatizzate, ripetibili e accurate sui dispositivi in tecnologia wide bandgap, come i...
-
onsemi e Sineng Electric collaborano per soluzioni ottimizzate per il fotovoltaico
onsemi ha comunicato la sua collaborazione con Sineng Electric per lo sviluppo di soluzioni ottimizzate capaci di aumentare al massimo le prestazioni di inverter fotovoltaici, sistemi per l’accumulo di energia e per la conversione di potenza. Sineng...
-
Nuovi dispositivi EliteSiC M3S da 1200 V da onsemi
onsemi ha presentato i dispositivi SiC da 1200 V della linea EliteSiC di ultima generazione. La nuova gamma comprende MOSFET EliteSiC e moduli e permette di ottenere elevatevelocità di commutazione per supportare la crescente diffusione di OBC...
-
Mouser Electronics: accordo di distribuzione con Navitas Semiconductor
Mouser Electronics ha siglato un accordo di distribuzione globale con Navitas Semiconductor, azienda focalizzata sui semiconduttori di potenza di nuova generazione come quelli con tecnologie GaN e SiC. In base all’accordo, Mouser offrirà ai clienti la gamma...
-
Winbond aderisce al Partner Program di STMicroelectronics
Winbond ha annunciato la sua adesione all’ STMicroelectronics Partner Program con l’obiettivo di abbinare le proprie memorie ai microprocessori e microcontrollori della serie STM32 di ST. L’azienda sottolinea che questa collaborazione è finalizzata non solo a ottimizzare...