EONews_586

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La domanda di memorie Flash
è in continua espansione, trai-
nata come è dal proliferare di
dispositivi portatili in ambito
consumer e dalla relativamen-
te recente diffusione dei dischi
allo stato solido nei sistemi
laptop e desktop. Oggi c’è chi
pronostica un’aggressiva affer-
mazione della tecnologia Flash
anche tra i server dell’infra-
struttura di storage che regge
il Cloud.
La lotta tra i produttori di Flash
di tipo Nand (quelle che trova-
no posto su penne USB, Sd-
card e dischi SSD) è stata fo-
tografata in un recente studio di
e vede dominare
(il cui fatturato mondiale per il
2014 è stato di 9 miliardi di dol-
lari), seguita da (7,8
miliardi) e, più a distanza, da
(4,6 miliardi) e
(3,1 miliardi). Tutti questi pro-
duttori hanno deciso, chi prima
e chi dopo, di passare alla tec-
nologia 3D per superare i limiti
di scalabilità raggiunti dalle ar-
chitetture planari.
Samsung ha aperto le dan-
ze l’anno scorso, quando ha
annunciato di voler iniziare la
produzione di massa di memo-
rie Flash a sviluppo verticale
battezzate V-Nand e basate sul
meccanismo di intrappolamen-
to della carica. I primi chip, co-
stituiti da celle a tre livelli (TLC)
ossia in grado di memorizzare
tre stati di informazione per
singolo dispositivo, erano ca-
ratterizzati da una struttura a
32 strati e hanno trovato posto
nei dischi allo stato solido che
l’azienda sudcoreana ha inizia-
to a commercializzare a partire
dalla scorsa estate. La capaci-
tà di un singolo chip è di 128
Gbit, ossia 16 GB. L’evoluzione
successiva, attesa per la fine di
quest’anno, vedrà il numero di
strati passare da 32 a 48.
Sempre l’anno scorso, il se-
condo più grande produttore
di Flash Nand, Toshiba, ha
stretto una collaborazione con
per la produzione di
Flash Nand a intrappolamento
di carica utilizzando un proces-
so denominato Bit Cost Scaling
(BiCS) il cui sviluppo è iniziato
nel lontano 2007. I singoli chip
di Toshiba-Sandisk sono in gra-
do di impilare 48 strati di celle
capaci di memorizzare due
bit di dati per dispositivo (cella
MLC) per un totale di 128Gbit
(16 GB) di capacità. Lo scor-
so 25 marzo le due aziende
hanno annunciato di aver re-
alizzato i primi campioni e di
prevedere l’avvio di una produ-
zione pilota nella seconda metà
di quest’anno. La produzione di
massa è verosimilmente attesa
per il 2016.
A differenza di Samsung e del-
la joint-venture Toshiba-San-
disk, per la realizzazione delle
proprie memorie Flash 3D
e Micron – che nel 2006
hanno dato vita a IM Flash
Technologies – hanno scelto di
percorrere la già battuta strada
del floating gate. Una scelta in
controtendenza, viste le diffi-
coltà generalmente associate
alla realizzazione dei pattern di
isolamento su strutture verticali
così profonde. Sebbene i det-
tagli della tecnologia messa a
punto da IMFT non siano stati
resi pubblici, viene spontaneo
pensare che nella scelta della
direzione intrapresa abbia pe-
sato il vantaggio tecnologico
che il colosso di Santa Clara ha
maturato con la sua esperienza
nella produzione di micropro-
cessori. Da un certo punto di vi-
sta, questo è un ritorno alle ori-
gini per Intel, che è nata proprio
come produttore di memorie. I
chip annunciati da IMFT saran-
no composti da 32 strati di celle
MLC (due bit per dispositivo)
per una capacità di 256 Gbit
(16 GB); sono previste anche
celle TLC che permetteranno
di memorizzare fino a 384 Gbit
per die. Diventerà così possibi-
le produrre penne USB da 3,5
TB o SSD da 10 TB e oltre.
Lo scorso 24 aprile, Hynix è
stato l’ultimo dei grandi pro-
duttori di memorie Flash ad
annunciare il passaggio alla
tecnologia 3D, che avverrà con
la messa in produzione di chip
a 36 strati già nella seconda
metà di quest’anno. Il passag-
gio alle strutture a 48 strati è
previsto per il 2016, una mossa
che permetterà al produttore
coreano di ridurre le distanze
rispetto alla concorrenza della
connazionale Samsung.
Se la tecnologia Flash 2D ha
incontrato un limite tecnologi-
co intorno all’avvicinarsi dei 10
nm, l’era della memoria Flash
3D è ufficialmente entrata nel
vivo e, con l’affinamento dei
processi e l’economia di scala
associata alla produzione di
massa, si prefigura una pros-
sima significativa riduzione dei
prezzi per terabyte di memoria.
Il futuro in cui i dischi allo stato
solido saranno la realtà anche
nei data center si fa un poco più
vicino.
EONews n. 586 - maggio 2015
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Massimo G iussani
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Dopo Samsung, anche Intel, Micron, Sandisk,
Toshiba e Hynix inizieranno a produrre Flash
Nand a sviluppo verticale
Aggiungi una dimensione
alla Flash
“Fonte:
Intel Micron
Flash Technology”