EO_450

43 / 102

43 - ELETTRONICA OGGI 450 - NOVEMBRE/DICEMBRE 2015
GaN in classe A
da oltre 60 anni progetta e svi-
luppa componenti e sistemi per la radiofrequenza
e le microonde che fabbrica in undici stabilimenti
statunitensi e due inglesi. Nell’offerta della socie-
tà troviamo sistemi radiation-hardened per appli-
cazioni spaziali, filtri a elevate prestazioni, circuiti
microelettronici a elevata affidabilità, moduli RF/mi-
croonde configurabili e amplificatori allo stato soli-
do in GaN. A fine primavera la società ha presentato
una nuova serie di amplificatori di potenza a doppio
canale fabbricati con transistor in nitruro di gallio
e capaci di 200 W di potenza per ciascuno dei due
canali. Il nuovo QBS-620 ha una banda di frequenza
che va da 30 a 512 MHz e incorpora a bordo un fil-
tro di 60 dBc a commutazione per le armoniche VHF
e UHF, uno switch di potenza SP3T, un controllore e
uno stadio di alimentazione ac/dc mentre il guada-
gno è di 55 dB in tutti i protocolli di modulazione
HPA, CW, FM, FSK, PSK, CPM e AM. Il Communica-
tions Band Signal Jamming Power Amplifier QBS-
617 è caratterizzato da un’elevata precisione nella
selezione della banda di amplificazione da 1930 a
2000 MHz e sfrutta una topologia circuitale di clas-
se “A” con transistor LDMOS che garantiscono un
guadagno tipico di 51 dB e una potenza massima di
150W. Per entrambi l’alimentazione è a 28 Vdc e la
robustezza è certificata per le applicazioni militari
MIL-STD-38999 ma il primo tollera le temperature
da 0 a 50 °C mentre il secondo da -20 a +70 °C.
MMIC con pHEMT GaAs
progetta e sviluppa
circuiti integrati a elevate prestazioni per la radio-
frequenza, le microonde e le onde millimetriche
ovvero nell’intero range di frequenza che va dalla
continua fino a 110 GHz, utilizzando le numerose
soluzioni circuitali a segnali misti concepite nei
propri laboratori soprattutto riguardanti i transistor
mesfet, Hemt, pHemt, mHemt, HBT e PIN in tecno-
logia di processo BiCMOS, GaAs, GaN InGaP/GaAs,
InP, SOI e SiGe. La società è stata recentemente ac-
quisita in toto da che ha di conse-
guenza assegnato al Ceo di Hittite, Rick D.Hess, il
comando della sua nuova divisione RFMG, o RF and
Microwave Group, che si occuperà dello sviluppo e
della commercializzazione di oltre un migliaio dei
relativi prodotti. Fra i nuovi prodotti interamente
sviluppati nei laboratori Hittite vi sono l’amplifica-
tore HMC5805LS6 con transistor pHemt in GaAs
con banda passante che va dalla continua fino a 40
GHz e può dunque definirsi un MMIC Distributed
Power Amplifier capace di guadagnare 13,5 dB e
produrre in uscita un segnale di 0,25 W o +33 dBm
con la massima linearità di risposta fra 8 e 32 GHz
e alimentazione a 10 V e 175 mA. Stessa tecnolo-
gia GaAs pHemt per l’MMIC High Power Amplifier
HMC6741LS7 composto da quattro stadi di ampli-
ficazione e da un modulo di compensazione della
temperatura che garantisce fra 9 e 12 GHz un gua-
dagno di 35 dB e una potenza d’uscita massima di
4 W o +44,5 dBm con un’efficienza PAE del 25% e
alimentazione a 7 V e 2,4 A. Entrambi i chip sono
forniti in package ceramici da 6x6 mm a 16 pin cer-
tificati per le applicazioni militari e possono essere
utilizzati nei sistemi di conversione a bordo delle
stazioni wireless e dei ponti radio.
Full Spectrum Capture Converter
è focalizzata nei circuiti a semicon-
duttore a segnali misti e negli integrati a radiofre-
quenza per le comunicazioni con un’ampia offerta
TECH-FOCUS
RF IC
Fig. 2 – I nuovi amplificatori che API Technologies offre per la
radiofrequenza con banda da 30 a 512 MHz e guadagno di 55 dB
oppure da 1930 a 2000MHz con guadagno di 51 dB
Fig. 3 – Schema funzionale dei due amplificatori MMIC progettati
da Hittite con transistor GaAs pHEMT e proposti in due range di
frequenzadiversiossiaconbandapassantedallacontinuafinoa40
GHz per l’HMC5805LS6 e da 9 a 12 GHz per l’HMC6741LS7