IN TEMPO REALE
EMBEDDED MEMORIES
e le prestazioni delle memorie, e rilasciare sul mercato
prodotti ancora più capienti e in grado di soddisfare le
esigenze di storage delle prossime applicazioni. A questi
livelli di miniaturizzazione delle celle, e sottigliezza del
silicio policristallino, possono infatti presentarsi problemi
di affidabilità e durevolezza nello storage e gestione dei
dati (cicli di scrittura/cancellazione) dovuti a interferenze
fra le celle stesse, specie nelle NAND MLC. E, fra le varie
alternative allo studio (ReRAM – resistive RAM; MRAM
– magnetoresistive RAM; PCM – phase change memory),
la via maestra per superare il problema sembra sempre
più aprirsi e concretizzarsi nella realizzazione di memorie
NAND ‘verticali’ o ‘3D’ - formate da vari strati di celle impi-
lati gli uni sopra gli altri – in contrapposizione ai normali
dispositivi, caratterizzati da strutture planari.
Il vantaggio di migrare verso geometrie tridimensionali
è che le NAND 3D non richiedono per la fabbricazione
l’uso di tecniche litografiche all’avanguardia, e ciò con-
sente anche di abbassare i costi di produzione, ottenen-
do comunque benefici a livello di capacità, affidabilità e
prestazioni.
Proprio lo scorso agosto, Samsung Electronics ha annun-
ciato l’avvio della produzione di massa della propria
memoria flash tridimensionale V-NAND (Vertical NAND),
in grado di fornire una densità di 128 gigabit (Gb) in un
singolo chip, e superare i limiti di scaling della tecnologia
flash NAND bidimensionale esistente. V-NAND adotta
una struttura di celle verticale proprietaria, basata sulla
tecnologia 3D Charge Trap Flash (CTF) e un sistema
d’interconnessione verticale per collegare gli array di
celle. Per le proprie peculiarità di prestazioni e densità,
le memorie V-NAND 3D, ha reso noto Samsung, saranno
usate in un’ampia gamma di prodotti di elettronica di con-
sumo, nonché in applicazioni enterprise (embedded NAND
storage e drive a stato solido). All’annuncio dell’avvio della
produzione in volumi delle memorie V-NAND, Sansung ha
fatto seguire anche l’introduzione di un drive a stato soli-
do basato su questa tecnologia di memoria: il dispositivo,
disponibile in due versioni, da 960 gigabyte e 480 gigabyte,
è indirizzato al mondo dei server di fascia enterprise a dei
data center.
Nonostante stia attualmente commercializzando le proprie
memorie NAND MLC in tecnologia a 16 nanometri, anche
Micron sta pianificando la transizione verso i dispositivi
3D, mentre Toshiba dovrebbe avviare la produzione in
volumi delle proprie memorie NAND 3D nel 2014.
Fig. 6 - Un wafer NAND in tecnologia 16 nano-
metri (Fonte: Micron)
