Allegro MicroSystems presenta un nuovo gate driver isolato ottimizzato per FET GaN
Allegro MicroSystems ha annunciato AHV85110, un nuovo gate driver isolato ottimizzato per pilotare FET GaN (nitruro di gallio). Questo IC è il primo prodotto del portafoglio Power-Thru dell’azienda e offre diversi vantaggi fra cui un ingombro ridotto, il miglioramento dell’efficienza, con il relativo aumento della densità di potenza e la possibilità di semplificare la progettazione.
Il gate driver Power-Thru AHV85110 di Allegro consente infatti ai progettisti di sfruttare facilmente le più recenti ed efficienti tecnologie di pilotaggio che offrono molteplici vantaggi a livello di sistema. Il nuovo gate driver combina componenti tradizionalmente separati in un unico dispositivo compatto.
L’azienda sottolinea che la nuova piattaforma di Allegro riduce al minimo i percorsi EMI e semplifica l’integrazione, con conseguente accelerazione del time to market, aumento dell’efficienza e riduzione dei costi di produzione.
Contenuti correlati
-
CGD collabora con IFPEN per la tecnologia GaN
Cambridge GaN Devices (CGD) ed Energies nouvelles (IFPEN) hanno sviluppato un demo che evidenzia il vantaggi delle soluzioni GaN da 650 V CGD ICeGaN in un inverter da 800 V CC multilivello. La demo è caratterizzata da...
-
Innoscience amplia la gamma di dispositivi GaN
Innoscience Technology ha aggiunto alla sua offerta due nuovi dispositivi con tecnologia GaN da 100V per il mercato automotive. I dispositivi sono siglati rispettivamente INN100W135A-Q (RDS(on),max = 13,5 mΩ) e INN100W800A-Q (RDS(on),max = 80 mΩ) e sono...
-
Usare dispositivi GaN per ridurre le dimensioni degli alimentatori c.a./c.c. medicali esterni
Oltre a soddisfare i severi standard in vigore nel settore medicale, gli alimentatori c.a./c.c. di XP Power utilizzano dispositivi GaN che permettono di dimezzare le dimensioni rispetto ad analoghi prodotti basati sui classici dispositivi in silicio Leggi...
-
Il GaN nella progettazione di alimentatori: vantaggi e sfide
I transistor GaN aprono la strada allo sviluppo di progetti di alimentatori caratterizzati da efficienze più elevate, densità di potenza maggiori e fattori di forma più ridotti Leggi l’articolo completo su EO Power 35
-
I dispositivi GaN di Innoscience a PCIM 2024
Innoscience Technology parteciperà a PCIM 2024, il principale evento europeo dedicato all’elettronica di potenza, presentando una gamma completa di attività e soluzioni basate sul GaN. Presso lo standa sarà infatti possibile vedere la sua gamma di dispositivi...
-
Vincotech a PCIM 2024
Vincotech torna a PCIM con le sue più recenti tecnologie e innovazioni, tra cui quelle basate su GaN e molti altri prodotti per il controllo del movimento, energie rinnovabili e alimentazione. A questa edizione della manifestazione sarà...
-
Vantaggi dei sensori di corrente a effetto Hall nei microinverter
Rispetto alle soluzioni che utilizzano shunt e amplificatore, un sensore di corrente a effetto Hall è molto più semplice e flessibile da utilizzare, sul ramo superiore o inferiore, oltre a garantire l’isolamento dal circuito della corrente da...
-
Analog Devices: un nuovo driver per il controllo dei FET GaN
LT8418 è un nuovo driver GaN half-bridge da 100 V di Analog Devices progettato per semplificare l’implementazione dei FET GaN. Questo componente può essere configurato in topologie sincrone half-bridge e full-bridge, oppure in topologie buck, boost e...
-
Nuove gamme di dispositivi GaN da Texas Instruments
Texas Instruments (TI) ha presentato due nuove gamme di dispositivi di conversione di potenza che consentono di ottenere maggiori densità di potenza. I nuovi stadi di potenza integrati al nitruro di gallio (GaN) da 100 V di...
-
Sensori di corrente a elevata larghezza di banda da Allegro MicroSystems
Allegro MicroSystems ha introdotto due sensori di corrente a elevata larghezza di banda, siglati rispettivamente ACS37030 e ACS37032, che facilitano la conversione di potenza con componenti GaN e SiC nei veicoli elettrici, nelle soluzioni per le energie...