Toshiba: nuova generazione di MOSFET per autoveicoli

Toshiba Electronics Europe (TEE) annuncia il primo di una serie di MOSFET per autoveicoli che combina il più recente processo a trincea UMOS8 a bassa resistenza di conduzione (RDS(ON)) e bassa capacità di ingresso (Ciss) con un contenitore DPAK+ ad alto rendimento e alta affidabilità. Con un valore di appena 2,4 mΩ, la RDS(ON) massima del modello TK100S04N1L da 40 V e 100 A è del 22% più bassa rispetto ai dispositivi precedenti a parità di valori nominali.

Il nuovo MOSFET è conforme allo standard AEC-Q101 per un funzionamento con temperature di canale fino a 175 °C ed è l’ideale per applicazioni di controllo del movimento in ambito automobilistico come ventole, pompe e motori in corrente continua senza spazzole (brushless DC, BLDC).

Resistenza termica massima tra canale e contenitore pari a 1,5 °C/W, capacità di gestire impulsi di corrente nel collettore fino a 200 A, dissipazione nominale di potenza al gate a 100 W (a 25 °C) mentre la massima corrente di perdita (@ VDS = 40 V) è di soli 10 µA sono le altre caratteristiche di TK100S04N1L. Toshiba preve anche l’introduzione di MOSFET da 60 V e 100 V.

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