Toshiba Electronics: nuova generazione di MOSFET per apparecchiature alimentate a batteria

Toshiba Electronics Europe ha presentato una nuova generazione di MOSFET a media potenza per la gestione dei circuiti di alimentazione dei dispositivi portatili. Gli ultracompatti transistor MOSFET SSM3J13xTU soddisfano i requisiti di commutazione a bassa potenza, alta velocità e alta corrente dei circuiti di alimentazione periferici, in applicazioni come telefoni cellulari, fotocamere digitali e altre apparecchiature alimentate a batteria.

Realizzati con la tecnologia di processo Toshiba U-MOSVI a canale P, i MOSFET SSM3J133TU, SSM3J134TU e SSM3J135TU hanno una corrente di drain nominale (I_D) pari rispettivamente a -5,5 A, -3,2 A e -3,0 A. Tutti i dispositivi hanno una tensione nominale tra drain e source (V_DSS) pari a 20 V e una tensione nominale tra gate e source (V_GSS) pari a ±8 V. Oltre alla tensione massima tra gate e source, i MOSFET presentano una tensione di soglia di gate (V_th) non superiore a 1,0 V, il che permette di avere commutazioni stabili già a partire da 1,5 V. Grazie a queste commutazioni a bassa tensione, i dispositivi SSM3J133TU, SSM3J134TU e SSM3J135TU sono l’ideale per realizzare alimentatori di tipo switching.

I nuovi MOSFET a canale P garantiscono valori ottimali di efficienza e velocità di commutazione grazie a un design che riduce al minimo la resistenza di conduzione (R_DS(ON)) e la capacità di ingresso (C_iss). Poiché i modelli SSM3J133TU, SSM3J134TU e SSM3J135TU offrono diversi valori nominali di (R_DS(ON))  e C_iss, i progettisti hanno la possibilità di scegliere il dispositivo ottimale per la propria applicazione: SSM3J133TU, con la (R_DS(ON)) più piccola, per ridurre le perdite, oppure SSM3J135TU, con la C_iss più piccola, per aumentare la velocità di funzionamento. Il modello SSM3J134TU offre invece un buon compromesso tra perdite e velocità di commutazione. Oltre a questi tre MOSFET, il modello SSM3J132TU presenta una (R_DS(ON)) non superiore a 98 mohm una tensione tra gate e source di 1,2 V.

Tutti i nuovi MOSFET sono forniti in contenitori UFM a montaggio superficiale che occupano un’area di appena 2,0 mm x 2,1 mm, con uno spessore di soli 0,7 mm. Grazie al design piatto, questo contenitore può dissipare una potenza di 500 mW, con lo stesso ingombro superficiale del classico SOT-323.

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