Gli HEMT GaN bidirezionali Bi-GaN di Innoscience adottati da OPPO

Innoscience Technology ha presentato la serie Bi-GaN di dispositivi HEMT bidirezionali per la ricarica che non generano gli incrementi di temperatura a volte riscontrati con i tradizionali dispositivi al silicio. Innoscience ha anche annunciato che OPPO utilizzerà i nuovi dispositivi BiGaN all’interno dei propri telefoni per controllare le correnti di caricamento e scaricamento della batteria.

Grazie ai bassi valori RDS(on) di InnoGaN, all’assenza di diodi parassiti e all’esclusiva bidirezionalità della tecnologia di BiGaN Innoscience, con un unico HEMT BiGaN è possibile sostituire due MOSFET NMOS accoppiati “back-to-back” in una configurazione con alimentazione comune per ottenere la commutazione bidirezionale delle correnti di caricamento e scaricamento della batteria. Questa soluzione riduce la resistenza nello stato di accensione (on-state), l’ingombro del chip del 70% e l’incremento di temperatura del 40%.

Il primo dispositivo BiGaN rilasciato da Innoscience è INN040W0488, un HEMT bidirezionale al nitruro di gallio su silicio da 40V, con package WLCSP da 2,1 x 2,1 mm. Il chip supporta la commutazione bidirezionale con resistenza on-state di 4,8mΩ. BiGaN è destinato ad applicazioni quali circuiti di protezione dalle sovracorrenti per la ricarica degli smartphone, circuiti di commutazione di carico high-side e circuiti di commutazione per sistemi multipotenza.

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