Collaborazione tra Winbond e Infineon Technologies per le nuove memorie HYPERRAM 3.0

Winbond Electronics e Infineon Technologies hanno annunciato l’espansione della loro collaborazione nel settore delle memorie HYPERRAM con l’introduzione delle nuove HYPERRAM 3.0 caratterizzate da un’ampiezza di banda più estesa.

Le memorie HYPERRAM 3.0, pur operando a una frequenza di 200 MHz (max.) con una tensione di 1,8 V come le HYPERRAM 2.0 e le RAM con interfaccia SPI ottale, garantiscono una velocità di trasferimento dati di 800 Mbps, doppia rispetto a quella precedentemente disponibile. Queste HYPERRAM di nuova generazione sfruttano un’interfaccia HyperBus ampliata con 22 pin.

“In qualità di fornitore di riferimento di soluzioni di memoria – ha sostenuto Ramesh Chettuvetty, Sr. Director delle attività di Marketing & Applications di Infineon Technologies – forniamo una gamma ampia e articolata di soluzioni in grado di fornire elevate prestazioni in un fattore di forma compatto ideali per le applicazioni IoT della prossima generazione. HYPERRAM 3.0, la terza generazione della famiglia HYPERRAM, supporta un throughput massimo di 800 MBps utilizzando la versione estesa a 16 bit dell’interfaccia HyperBus. I dispositivi HYPERRAM 3.0 da 256 Mb sono attualmente in fase di campionamento. Siamo inoltre particolarmente soddisfatti di collaborare con Winbond per supportare l’adozione su vasta scala di questa nuova tecnologia di memoria”.

“Ridotto numero di pin, bassi consumi e facilità di controllo – ha spiegato un portavoce di Winbond – sono le tre caratteristiche chiave che permettono di migliorare in modo significativo le prestazioni di dispositivi IoT. L’adozione delle memorie HYPERRAM permette di semplificare notevolmente la stesura del layout della scheda PCB e aumentare la durata della batteria dei dispositivi mobili, nonché operare con processori più piccoli che utilizzano un numero inferiore di pin, a fronte di un incremento del throughput rispetto alle tradizionali memorie DRAM, SDRAM e CRAM/PSRAM a basso consumo”.

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