Da ROHM IGBT ibridi con diodo SiC integrato

ROHM  ha realizzato la serie RGWxx65C (i modelli sono siglati rispettivamente RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR), composta da IGBT ibridi con diodo Schottky SiC da 650 V integrato.

I dispositivi sono conformi allo standard AEC-Q101 per il settore automotive e sono utilizzabili per applicazioni automotive ed industriali che gestiscono elevate potenze, come convertitori di potenza per il settore fotovoltaico, OBC (on board chargers) e convertitori DC/DC usati sui veicoli elettrici e ibridi (xEV).

La serie RGWxx65C impiega i diodi Schottky SiC a basse perdite di ROHM come diodo di free wheeling dell’IGBT, che presenta un’energia di recupero pressoché nulla e di conseguenza una perdita di commutazione minima del diodo. Inoltre, dal momento che la corrente di recovery non deve essere gestita dall’IGBT all’accensione, la perdita di turn-on dell’IGBT viene significativamente ridotta. Entrambi gli effetti sommati danno come risultato una perdita inferiore fino del 67% rispetto agli IGBT con diodo convenzionale e fino al 24% rispetto ai MOSFET Super Junction (SJ MOSFET) quando vengono usati nei caricabatteria dei veicoli.

Contenuti correlati

• 
  Rohm amplia l’offerta di Mosfet per automotive

  Sono destinati ai sistemi di alimentazione in ambito automotive i nuovi Mosfet della serie AG16xFNxx di Rohm. Si tratta di componenti da 80V progettati per i sistemi di alimentazione a 48 V che si stanno affermando come...
• 
  Da Rohm un package per Mosfet SiC

  TSC3PAK è la sigla di un nuovo package per Mosfet SiC sviluppato da Rohm. Misura 14×18,58×3,50 mm e utilizza una struttura di dissipazione del calore top-side che colloca la superficie di dissipazione sulla parte superiore del package....
• 
  Rohm a Pcim Europe 2026

  Pcim Expo & Conference 2026 vedrà Rohm impegnata in diverse dimostrazioni focalizzate sulle sue tecnologie per i semiconduttori di potenza e su come possano essere utilizzate per miniaturizzare i sistemi e ridurre le perdite di energia in...
• 
  Rohm: diodi ESD per interfacce oltre i 10 Gbps

  La serie di diodi ESD RESDxVx realizzata da Rohm è in grado di raggiungere sia una bassa resistenza dinamica (Rdyn) che una bassissima capacità. Queste caratteristiche rendono idonei i nuovi componenti all’utilizzo per un’ampia gamma di applicazioni...
• 
  Rohm: chipset per alimentazione wireless

  Rohm ha realizzato un chipset per sistemi di alimentazione wireless utilizzabile per dispositivi indossabili compatti, come smart ring e smart band, o anche per periferiche come le smart pen. Il chipset è formato dal ricevitore ML7670 e...
• 
  Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm

  Rohm  ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC,  Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...
• 
  Nuovi amplificatori operazionali da Rohm

  Rohm ha aggiunto alla sua offerta le nuove serie di amplificatori operazionali Cmos siglate TLRx728 e BD728x. Questi componenti sono utilizzabili per diversi tipi di applicazioni, inclusi sistemi automotive, industriali e consumer. L’ampia gamma disponibile semplifica inoltre la...
• 
  Package HPLF5060 per i MOSFET ROHM

  ROHM ha annunciato l’introduzione del nuovo package HPLF5060, che misura 4,9×6,0 mm, per i prodotti più recenti della sua serie di MOSFET a bassa tensione (40 V/60 V) destinati alle applicazioni nel settore automotive, come i circuiti di...
• 
  Partnership tra SemiQ e NAC Semi

  SemiQ, azienda specializzata in soluzioni in carburo di silicio (SiC), ha annunciato un accordo di distribuzione con NAC Semi(NAC Group), azienda di servizi di progettazione e distribuzione di componenti elettronici. Questa partnership permette un accesso semplificato a...
• 
  I SiC di Infineon per la bZ4X di Toyota

  Infineon Technologies ha comunicato Toyota ha adottato i MOSFET CoolSiC per il suo nuovo modello bZ4X. Nello specifico, questi componenti di Infineon sono stati integrati nel caricabatterie di bordo (OBC) e nel convertitore CC/CC. I MOSFET CoolSiC sfruttano...