Toshiba costruisce Fab 5 per potenziare la produzione di NAND flash

Toshiba aumenta la capacità di produzione di NAND flash con la costruzione, nel mese di agosto 2013, della seconda fase di Fab 5 nello stabilimento di Yokkaichi a Mie, in Giappone. I lavori di costruzione saranno completati nell’estate del 2014.

È questo quanto ha sottolineato Toshiba, sottolineando che le decisioni su investimenti in attrezzature non sono ancora stati effettuati, ma “riflettono le tendenze del mercato.” Dopo una decisione della società, presa a luglio 2012, che prevedeva il taglio della produzione di NAND Flash del 30% per una preoccupazione su eccessi di offerta e conseguenze sui prezzi, la società ha dovuto fare i conti con una domanda accelerata.

La seconda fase di Fab 5 prevede che sarà costruito con attenzione per ridurre al minimo l’impatto sull’ambiente. Illuminazione a LED e metodi di produzione a risparmio energetico con recupero di calore di scarto, sono solo alcune delle caratteristiche della nuova costruzione. Toshiba sta puntando ora verso il 3D NAND la cui produzione e distribuzione avverrà nel 2015.

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