ROHM e TSMC collaborano per lo sviluppo della tecnologia GaN per l’automotive

La nuova partnership strategica tra ROHM e TSMC è focalizzata sullo sviluppo e la produzione in serie di dispositivi di potenza al nitruro di gallio (GaN) destinati ad applicazioni per veicoli elettrici. Il contributo di ROHM sarà relativo all’esperienza nello sviluppo di dispositivi, mentre TSMC contribuirà invece con la tecnologia di processo GaN-on-silicon.

La partnership punta a rispondere alla richiesta di dispositivi di potenza dotati di caratteristiche di alta tensione e alta frequenza superiori a quelle ottenibili con le tecnologie basate su silicio.

“I dispositivi GaN, in grado di funzionare ad alta frequenza, sono molto attesi per il loro contributo alla miniaturizzazione e al risparmio energetico, fattori che possono aiutare a realizzare una società decarbonizzata. Per l’implementazione di queste innovazioni nella società sono fondamentali partner affidabili, per questo siamo lieti di collaborare con TSMC, che possiede un’avanzata tecnologia di produzione leader a livello mondiale”, ha dichiarato Katsumi Azuma, membro del C.d.A. e Senior Managing Executive Officer di ROHM. “Oltre a impegnarci in questa partnership, puntiamo a promuovere l’adozione del GaN nel settore automotive fornendo soluzioni GaN di facile utilizzo che includono circuiti integrati di controllo per massimizzare le prestazioni del GaN”.

“Mentre procediamo con lo sviluppo di tecnologie di processo GaN di prossima generazione, insieme a ROHM stiamo estendendo la partnership allo sviluppo e alla produzione di dispositivi di potenza GaN per applicazioni automotive”, ha dichiarato Chien-Hsin Lee, Senior Director del settore Specialty Technology Business Development di TSMC. “Combinando l’esperienza di TSMC nella produzione di semiconduttori con la competenza di ROHM nella progettazione di dispositivi di potenza, ci impegniamo ad allargare i confini di applicazione della tecnologia GaN e della sua implementazione per i veicoli elettrici”.

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