Ridurre i tempi di sviluppo di convertitori di potenza basati su SiC in applicazioni automotive

Dalla rivista:
EO Power

 

I semiconduttori ad ampia banda proibita (WBG – Wide Band Gap), come il carburo di silicio (SiC) garantiscono vantaggi sostanziali rispetto ai dispositivi di potenza tradizionali, come gli IGBT, utilizzati in precedenza in numerose applicazioni, come per esempio i caricabatterie dei veicoli elettrici

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Matthias Ortmann, Chief Engineer - Toshiba Electronics Europe

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