Renesas: soluzione GaN resistente alle radiazioni

Renesas Electronics ha annunciato la disponibilità del primo driver low side sviluppato con tecnologia GaN resistente alle radiazioni. Questo driver, siglato ISL70040SEH, è usato per pilotare i FET, anch’essi con tecnologia a nitruro di Gallio, impiegati nello sviluppo sia del circuito primario che di quello secondario dei convertitori DC/DC degli alimentatori degli stadi di lancio e dei satelliti , ma anche per applicazioni che richiedono un elevato livello di affidabilità come per esempio le trivelle e le applicazioni industriali ad alto livello di sicurezza. Questi dispositivi, infatti, possono essere impiegati per pilotare alimentatori di potenza, circuiti di controllo motori, moduli di controllo dei sistemi di riscaldamento, moduli di controllo embedded, sistemi di condizionamento del segnale e circuiti di switching in sistemi ridondanti.

Il FET GaN ISL7023SEH a 100 V e 60 A e il FET GaN ISL70024SEH da 200 V e 7,5 A si basano sulla tecnologia prodotta da Efficient Power Conversion Corporation (EPC).

I dispositivi ISL70023SEH e ISL70024SEH sono prodotti seguendo il flusso MIL-PRF-38535 Class V-like che offre la garanzia delle specifiche nella gamma delle temperature militari.

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