Nuovi player cinesi nel mercato delle DRAM e NAND

Il settore delle memorie DRAM e NAND flash ha vissuto una fase di consolidamento nel corso degli ultimi 10 anni, e presto alcuni nuovi player provenienti dalla Cina potrebbero affacciati al mercato, movimentando il settore.

Secondo un recente report di DigiTimes, tre imprese cinesi si stanno infatti attrezzando per affrontare le nuove sfide del mercato.

Tra queste tre, Yangtze River Storage Technology (YRST) è la più promettente, supportata da Tsinghua Unigroup, una società di tecnologica cinese. YRST già possiede una fab di wafer da 12 pollici, gestita dalla sussidiaria XMC (Xinxin Semiconductor Manufacturing). YRST sta anche cercando di acquisire – o costruire – una nuova produzione da 12 pollici per la fabbricazione di DRAM e NAND e si aspetta anche di dare inizio alla produzione di memore NAND tridimensionali a 32 e 64 strati già alla fine del 2017, utilizzando la tecnologia presa in licenza da Spansion, dopo la fusione con Cypress all’inizio dello scorso anno.

Fujian Jin Hua Integrated Circuit è un’altra azienda promettente, in procinto di costruire un suo impianto per la produzione di wafer da 12 pollici, utilizzando la tecnologia sviluppata dalla United Microelectronics (UMC) di Taiwan.

Anche se non così promettente come le due precedenti, fonti Digitimes riportano di una possibile joint venture tra GigaDevice Semiconductor e il governo di Hefei per la progettazione, sviluppo e produzione di DRAM.

ap

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