Elettronica Oggi 425 – marzo 2013

Articoli in questo numero

• Architetture innovative per dispositivi a eterogiunzione di tipo MESFET e HEMT

  L’adozione della tecnologia FIELD PLATE è destinata a diventare lo standard di molti dispositivi GaN HEMT poiché consente di ricavare decisi miglioramenti delle loro performance
• pMEMS: oscillatori MEMS di prossima generazione

  Idt ha sviluppato un nuovo dispositivo di temporizzazione che, abbinando uno strato di materiale piezoelettrico con una struttura microelettromeccanica in silicio, offre numerosi vantaggi tra cui diminuzione dei dei costi, riduzione degli ingombri e maggiore stabilità nel...
• Marcatura a zona

  Usando il trigger a zona, l’oscilloscopio aiuta a difendersi dai problemi sui segnali
• Come realizzare un sistema per la misura del livello di un liquido

  Mediante sensori di pressione su silicio e un convertitore A/D delta-sigma è possibile realizzare in maniera economica un sistema di acquisizione dati (DAS) per la misura del livello di un liquido caratterizzato da bassi consumi