2006 – Maggio

Articoli in questo numero

• Polarizzazione di FET LDMOS in amplificatori di potenza RF

  La tecnologia FET LDMOS si sta imponendo quale elemento determinante in applicazioni "amplificazione di potenza RF" in particolar modo nella base station per telefonia cellulare. Tensioni di breakdown pari a 65 volt permettono ai FET LDMOS di...
• La scelta dei componenti RF per comunicare all’interno di una vettura

  Nella realizzazione dei sistemi di comunicazione wireless presenti all'interno di un autoveicolo è necessario affrontare problematiche abbastanza complesse per quel che riguarda la progettazione RF.
• Condensatori: scende l’Esr, cresce la robustezza

  Con due nuove linee di prodotti dotate di bassi valori di resistenza equivalente serie (Esr), Avx aiuta i progettisti a migliorare le prestazioni di pc desktop, notebook e server e a evitare i danni da cortocircuito
• Valutazione dell’efficienza di conversione mediante la figura di merito

  Nel settore dei convertitori A/D, le architetture delta-sigma di ultima generazione si stanno imponendo nei confronti delle tradizionali strutture pipeline: per effettuare una valutazione concreta è possibile utilizzare la FOM (Figure of Merit - figura di merito),...