Nexperia presenta due nuovi ASFET

Nexperia  ha annunciato due nuovi ASFET (Application-Specific MOSFET) da 80 V e 100 V con prestazioni SOA migliorate, destinati ad applicazioni hot-swap e soft-start in sistemi di telecomunicazioni 5G,  ambienti server a 48 V e apparecchiature industriali.

Gli ASFET sono una nuova generazione di MOSFET ottimizzati per l’uso in particolari scenari di progettazione. I nuovi ASFET hot-swap utilizzano una combinazione della più recente tecnologia in silicio di Nexperia e della struttura del package con clip in rame per rafforzare significativamente l’area operativa sicura (SOA) e ridurre al minimo l’area del PCB.
I nuovi ASFET hot-swap PSMN4R2-80YSE (80 V, 4,2 mΩ) e PSMN4R8-100YSE (100 V, 4,8 mΩ) usano un contenitore LFPAK56E compatibile con Power-SO8.
I nuovi prodotti LFPAK56E misurano 5x6x 1,1 mm, offrendo riduzioni dell’80% e del 75% rispettivamente per l’ingombro sul PCB e l’altezza del dispositivo, rispetto al package D2PAK delle generazioni precedenti.

I dispositivi offrono inoltre di una temperatura di giunzione massima di 175 °C, conforme alle normative IPC9592 per le telecomunicazioni e le applicazioni industriali.

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