Moduli di potenza Semikron Danfoss con IGBT ROHM

Semikron Danfoss ha recentemente aggiunto il nuovo IGBT RGA da 1200 V di ROHM alla propria offerta di moduli. ROHM ha lanciato il nuovo IGBT RGA da 1200 V, come alternativa agli ultimi dispositivi IGBT di settima generazione per le applicazioni industriali.

“Il modello RGA è un IGBT trench gate di recente progettazione, di tipo light punch-through (lievemente asimmetrico), con Tj,max = 175 °C. Le caratteristiche di conduzione, commutazione e termiche sono ottimizzate per le nuove applicazioni di pilotaggio industriali nella gamma di potenza medio-bassa. Al tempo stesso il modello RGA deve restare compatibile con le soluzioni IGBT pre-esistenti, per assicurare un approccio basato sulla multipla sorgente. In aggiunta, il dispositivo RGA è utilizzabile anche per migliorare la gestione delle sovracorrenti transitorie in condizioni di sovraccarico delle applicazioni per il pilotaggio dei motori”, ha affermato Kazuhide Ino, membro del C.d.A, Managing Executive Officer e CFO di ROHM.

“Il settore dell’elettronica di potenza continua a trarre insegnamento dai problemi di fornitura di questi ultimi anni. Logicamente occorre che la produzione di chip e moduli per semiconduttori sia diversificata per generare moduli di potenza realmente all’insegna di un ‘approvvigionamento multiplo'”, ha dichiarato Claus A. Petersen, Presidente di Semikron Danfoss. “Nel caso degli IGBT di settima generazione da 1200 V, ora è disponibile un affidabile prodotto equivalente di un rispettabile produttore, che risolve questa problematica anche nella gamma a bassa potenza. L’IGBT RGA da 1200 V di ROHM è l’alternativa perfetta agli IGBT di settima generazione e lo si può indurre a un comportamento elettrico notevolmente simile grazie a una minima regolazione della resistenza di gate”, ha continuato Peter Sontheimer, Senior Vice President della Divisione Industria e Managing Director di Semikron Danfoss.

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