La tecnologia BA.MOS.AM

Dalla rivista:
Elettronica Oggi

 
Pubblicato il 16 marzo 2003

Il processo di costruzione BA.MOS.AM. brevettato da nuova Mistral consiste nella realizzazione di interconnessioni fra chip di silicio e contenitore dello stesso o pcb con la tecnica delle crescita galvanica che a differenza della tecnologia tradizionale flip-chip non prevede nessuna deposizione di pasta di stagno ne ulteriori handling meccanico, ma soltanto la realizzazione dei bumps con la crescita galvanica.

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