La tecnologia BA.MOS.AM
Dalla rivista:
Elettronica Oggi
Il processo di costruzione BA.MOS.AM. brevettato da nuova Mistral consiste nella realizzazione di interconnessioni fra chip di silicio e contenitore dello stesso o pcb con la tecnica delle crescita galvanica che a differenza della tecnologia tradizionale flip-chip non prevede nessuna deposizione di pasta di stagno ne ulteriori handling meccanico, ma soltanto la realizzazione dei bumps con la crescita galvanica.