KIOXIA premiata per l’invenzione della memoria Flash NAND 3D

Pubblicato il 25 luglio 2024
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KIOXIA ha ricevuto da FMS: the Future of Memory and Storage il premio 2024 Lifetime Achievement Award. Il riconoscimento è stato attribuito al team di ingegneri di KIOXIA, composto da Hideaki Aochi, Ryota Katsumata, Masaru Kito, Masaru Kido e Hiroyasu Tanaka, per lo sviluppo e commercializzazione della memoria flash 3D (l’azienda ha presentato per la prima volta il concept della tecnologia di memoria flash 3D BiCS FLASH al VLSI Symposium del 2007).

“La memoria flash 3D di KIOXIA ha rivoluzionato l’archiviazione dei dati, portandola da un semplice avanzamento delle tecnologie esistenti a una soluzione innovativa che soddisfa le esigenze dell’informatica moderna”, ha dichiarato Chuck Sobey, presidente generale di FMS. “Siamo lieti di poter valorizzare questo importante contributo e siamo ansiosi di vedere cosa ci riserverà il futuro”.

“L’innovazione tecnica di KIOXIA nel campo delle memorie flash 3D non può essere sopravvalutata”, ha dichiarato Atsushi Inoue, vicepresidente e responsabile tecnologico della Memory Division di KIOXIA Corporation. “La nostra tecnologia ha creato un nuovo paradigma nel settore, consentendo alle memorie flash di aumentare notevolmente la densità di archiviazione per cella, die e package. Sono entusiasta di vedere riconosciuti i nostri risultati e sono ansioso di assistere all’evoluzione del loro impatto negli anni a venire”.

“I miei colleghi ingegneri di KIOXIA sono una fonte di ispirazione non solo per i loro traguardi tecnologici, ma anche per il loro impegno a far progredire il settore attraverso l’innovazione continua e il sostegno ai ricercatori che li circondano”, ha dichiarato Ryota Katsumata, senior fellow dell’Advanced Memory Development Center di KIOXIA Corporation. “Il nostro contributo non solo ha avuto un impatto dirompente, ma ha anche stimolato uno spirito di innovazione e collaborazione all’interno di tutta la comunità. È meraviglioso vedere riconosciute tali leadership e visione”.



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