Intel completa la fase di sviluppo della tecnologia di processo a 32 nm
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Intel ha fornito tutti i dettagli tecnici sulla tecnologia di processo a 32 nm e ha affrontato diversi argomenti correlati, durante le presentazioni nel corso dell’incontro International Electron Devices meeting (IEDM) che si è tenuto a San Francisco. Grazie al completamento della fase di sviluppo della tecnologia di processo a 32 nm e alla possibilità di avviare la produzione in questo periodo, Intel è in grado di rispettare i tempi ambiziosi di produzione e lancio di prodotti definiti nella propria strategia “tick-tock”.
Tale strategia prevede l’alternanza tra l’introduzione di una microarchitettura dei processori completamente nuova e un processo di produzione all’avanguardia ogni 12 mesi circa, un impegno senza precedenti nel settore. Con la produzione di chip a 32 nm il prossimo anno, Intel riesce a rispettare questi obiettivi per il quarto anno consecutivo.
Nel documento e nella presentazione della tecnologia Intel a 32 nm è stata descritta una tecnologia che incorpora la tecnologia con gate metallici ad alta costante k (high-k) di seconda generazione, la litografia a immersione a 193 nm per gli strati di patterning critici e tecniche evolute di transistor strain. Queste caratteristiche implicano un miglioramento delle prestazioni e dell’efficienza energetica dei processori Intel. Il processo produttivo Intel rende possibili prestazioni e densità dei transistor più elevate rispetto a qualsiasi tecnologia a 32 nm nota nel settore .
Negli altri documenti Intel presentati all’Iedm sono stati descritti: una versione system on chip a basso consumo del processo Intel a 45 nm, i transistor basati su semiconduttori composti, la progettazione di substrati per migliorare le prestazioni dei transistor a 45 nm, l’integrazione di tecniche CPM (Chemical Mechanical Polish) per il nodo a 45 nm e oltre e l’integrazione di un array di modulatori basati su fotonica del silicio. Intel ha partecipato inoltre a un breve corso sulla tecnologia Cmos a 22 nm.
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