Innoscience amplia la gamma di dispositivi GaN

Innoscience Technology ha aggiunto alla sua offerta due nuovi dispositivi con tecnologia GaN da 100V per il mercato automotive.

I dispositivi sono siglati rispettivamente INN100W135A-Q (RDS(on),max = 13,5 mΩ) e INN100W800A-Q (RDS(on),max = 80 mΩ) e sono entrambi certificati secondo AEC-Q101. Questi componenti sono ottimizzati per applicazioni LiDAR oltre che per trasformatori DC-DC ad alta densità di potenza, e applicazioni audio in Classe D nel settore automotive.

Il dispositivo INN100W135A-Q e l’ultracompatto INN100W800A-Q, con package WLCSP, che misurano rispettivamente 2,13mm x 1,63mm e 0.9mm x 0.9mm, offrono vantaggi interessanti in termini di dimensioni ed efficienza energetica. Entrambi i dispositivi sono specificamente progettati per i requisiti dei sistemi di guida assistita L2+/L3, con velocità di commutazione fino a 13 volte più veloci e larghezze di impulso ridotte a un quinto rispetto alle soluzioni al silicio. Il produttore precisa che anche parametri come Qg e Qoss sono stati migliorati di 1,5-3 volte rispetto agli equivalenti in silicio. Si possono così ottenere capacità di riconoscimento a lunga distanza nell’ordine dei 200/300 metri, essenziali per applicazioni avanzate di guida assistita e guida autonoma.

Il Dott. Denis Marcon, General Manager di Innoscience Europe, ha dichiarato: “Entrambi i dispositivi sono stati progettati per rispondere alla crescente domanda di efficienza e precisione nelle tecnologie di guida assistita e guida autonoma; i dispositivi GaN stanno rapidamente sostituendo il tradizionale silicio nelle applicazioni automotive critiche grazie alle loro prestazioni superiori. Nelle applicazioni LiDAR è riconosciuto che il GaN offre una risoluzione e distanze di rilevamento maggiori, riducendo al tempo stesso la perdita di potenza e l’aumento della temperatura più di quanto consenta la tradizionale tecnologia al silicio.”

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