Innoscience amplia la famiglia di dispositivi a 650 V

Innoscience Technology ha realizzato una gamma di dispositivi HEMT GaN a 650 V funzionanti in modalità di arricchimento (“E-mode”).  I nuovi dispositivi InnoGaN con RDS(on) di 190 mΩ, 350 mΩ o 600 mΩ in package standard DFN 8×8 e 5×6 si uniscono ai componenti già annunciati con RDS(on) di 140 mΩ, 240 mΩ o 500 mΩ.

I nuovi dispositivi presentano inoltre valori della tensione transitoria drain-source (VDS, transitoria) di 800 V, per eventi non ripetitivi con lunga durata dell’impulso – fino a 200 µs – e della tensione pulsata (VDS, pulsata), di 750 V, per impulsi ripetitivi – di durata fino 100 ns, per i componenti con RDS(on) di 190 mΩ.

Analogamente ai precedenti dispositivi a 650 V, i nuovi dispositivi con RDS(on) di 190 mΩ, 350 mΩ o 600 mΩ sono tutti dotati di un circuito di protezione contro la scarica elettrostatica integrato nel chip per facilitare l’assemblaggio in grandi volumi di questi dispositivi nel package e la loro movimentazione.

Le possibili applicazioni degli InnoGaN sono molteplici: convertitori con correzione del fattore di potenza (CFP), convertitori CC-CC, driver LED, caricabatteria veloci, adattatori per notebook e multifunzione, alimentatori per PC desktop, televisori, utensili automatici e altre.

Contenuti correlati

• 
  ROHM e TSMC collaborano per lo sviluppo della tecnologia GaN per l’automotive

  La nuova partnership strategica tra ROHM e TSMC è focalizzata sullo sviluppo e la produzione in serie di dispositivi di potenza al nitruro di gallio (GaN) destinati ad applicazioni per veicoli elettrici. Il contributo di ROHM sarà...
• 
  CGD collabora con IFPEN per la tecnologia GaN

  Cambridge GaN Devices (CGD) ed Energies nouvelles (IFPEN) hanno sviluppato un demo che evidenzia il vantaggi delle soluzioni GaN da 650 V CGD ICeGaN in un inverter da 800 V CC multilivello. La demo è caratterizzata da...
• 
  Innoscience amplia la gamma di dispositivi GaN

  Innoscience Technology ha aggiunto alla sua offerta due nuovi dispositivi con tecnologia GaN da 100V per il mercato automotive. I dispositivi sono siglati rispettivamente INN100W135A-Q (RDS(on),max = 13,5 mΩ) e INN100W800A-Q (RDS(on),max = 80 mΩ) e sono...
• 
  Usare dispositivi GaN per ridurre le dimensioni degli alimentatori c.a./c.c. medicali esterni  

  Oltre a soddisfare i severi standard in vigore nel settore medicale, gli alimentatori c.a./c.c. di XP Power utilizzano dispositivi GaN che permettono di dimezzare le dimensioni rispetto ad analoghi prodotti basati sui classici dispositivi in silicio Leggi...
• 
  Il GaN nella progettazione di alimentatori: vantaggi e sfide

  I transistor GaN aprono la strada allo sviluppo di progetti di alimentatori caratterizzati da efficienze più elevate, densità di potenza maggiori e fattori di forma più ridotti Leggi l’articolo completo su EO Power 35
• 
  I dispositivi GaN di Innoscience a PCIM 2024

  Innoscience Technology parteciperà a PCIM 2024, il principale evento europeo dedicato all’elettronica di potenza, presentando una gamma completa di attività e soluzioni basate sul GaN. Presso lo standa sarà infatti possibile vedere la sua gamma di dispositivi...
• 
  Vincotech a PCIM 2024

  Vincotech torna a PCIM con le sue più recenti tecnologie e innovazioni, tra cui quelle basate su GaN e molti altri prodotti per il controllo del movimento, energie rinnovabili e alimentazione. A questa edizione della manifestazione sarà...
• 
  Analog Devices: un nuovo driver per il controllo dei FET GaN

  LT8418 è un nuovo driver GaN half-bridge da 100 V di Analog Devices progettato per semplificare l’implementazione dei FET GaN. Questo componente può essere configurato in topologie sincrone half-bridge e full-bridge, oppure in topologie buck, boost e...
• 
  Nuove gamme di dispositivi GaN da Texas Instruments

  Texas Instruments (TI) ha presentato due nuove gamme di dispositivi di conversione di potenza che consentono di ottenere maggiori densità di potenza. I nuovi stadi di potenza integrati al nitruro di gallio (GaN) da 100 V di...
• 
  Un nuovo VGAN a 100V da Innoscience Technology

  In nuovo dispositivo VGaN a 100V di Innoscience Technology  può essere utilizzato per raggiungere un’efficienza elevata nei sistemi di gestione della batteria (BMS) da 48V o 60V, oltre che in applicazioni su interruttori di carico ad alta...