Inizia la produzione in volumi degli HEMT al GaN da 650 V di ROHM

ROHM ha annunciato l’inizio della produzione in volumi degli HEMT GaN da 650 V, ottimizzati per un’ampia serie di applicazioni dei sistemi di potenza. Si tratta dei modelli GNP1070TC-Z e GNP1150TCA-Z, messi a punto congiuntamente con Ancora Semiconductors – affiliata di Delta Electronics – che sviluppa dispositivi GaN.

Questi componenti sono utilizzabili per una vasta serie di sistemi di potenza previsti dalle apparecchiature industriali e dai dispositivi consumer, compresi server e adattatori AC.

I modelli GNP1070TC-Z e GNP1150TCA-Z offrono elevate prestazioni in termini di RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, che si traducono in una maggiore efficienza dei sistemi. Al tempo stesso, un elemento di protezione integrato contro le ESD migliora fino a 3,5 kV la resistenza elettrostatica alle scariche, conferendo così maggior affidabilità alle applicazioni. Le caratteristiche di commutazione ad alta velocità degli HEMT al GaN contribuiscono inoltre alla maggiore miniaturizzazione dei componenti.

Contenuti correlati

• 
  ROHM e TSMC collaborano per lo sviluppo della tecnologia GaN per l’automotive

  La nuova partnership strategica tra ROHM e TSMC è focalizzata sullo sviluppo e la produzione in serie di dispositivi di potenza al nitruro di gallio (GaN) destinati ad applicazioni per veicoli elettrici. Il contributo di ROHM sarà...
• 
  Valeo e ROHM per l’elettronica di potenza di prossima generazione

  ROHM Semiconductor e Valeo stanno sviluppando congiuntamente la prossima generazione di moduli di potenza per gli inverter dei motori elettrici, combinando le rispettive competenze nella gestione dell’elettronica di potenza. Come primo passo, ROHM fornirà a Valeo il...
• 
  CGD collabora con IFPEN per la tecnologia GaN

  Cambridge GaN Devices (CGD) ed Energies nouvelles (IFPEN) hanno sviluppato un demo che evidenzia il vantaggi delle soluzioni GaN da 650 V CGD ICeGaN in un inverter da 800 V CC multilivello. La demo è caratterizzata da...
• 
  Nuovi IC per controller PWM da ROHM

  ROHM ha sviluppato una serie di nuovi circuiti integrati per controller PWM ottimizzati per l’alimentazione AC-DC in varie applicazioni industriali. A seconda dell’intervallo di tensione AC in ingresso dell’applicazione,infatti,  per il circuito di alimentazione viene utilizzata un’ampia...
• 
  Innoscience amplia la gamma di dispositivi GaN

  Innoscience Technology ha aggiunto alla sua offerta due nuovi dispositivi con tecnologia GaN da 100V per il mercato automotive. I dispositivi sono siglati rispettivamente INN100W135A-Q (RDS(on),max = 13,5 mΩ) e INN100W800A-Q (RDS(on),max = 80 mΩ) e sono...
• 
  I nuovi IGBT da 1200 V di ROHM

  ROHM ha sviluppato una nuova linea di IGBT da 1200 V qualificati AEC-Q101 per il settore automotive, ma utilizzabili anche per inverter per apparecchiature industriali. Questi componenti di quarta generazione sono caratterizzati da perdite minime e un’elevata...
• 
  ROHM a electronica 2024

  ROHM Semiconductor Europe parteciperà a electronica 2024 con le sue tecnologie di potenza e analogiche, progettate per migliorare la densità di potenza, l’efficienza e l’affidabilità delle applicazioni automotive e industriali. Il tema per questa manifestazione sarà “Empowering...
• 
  I MOSFET SiC di ROHM nelle automobili di Geely

  ROHM  ha annunciato l’adozione di moduli di potenza dotati di chip MOSFET SiC di quarta generazione per gli inverter di trazione in tre modelli del marchio ZEEKR EV di Zhejiang Geely Holding Group (Geely), casa automobilistica cinese....
• 
  ROHM firma un accordo di fornitura con UAES

  UAES (United Automotive Electronic Systems), uno dei principali fornitori automotive in Cina, e ROHM hanno recentemente firmato un accordo per la fornitura a lungo termine di dispositivi di potenza SiC. Le due aziende collaborano da tempo (dal...
• 
  SiCrystal realizza un nuovo edificio per aumentare la produzione di wafer SiC

  SiCrystal, una filiale del gruppo ROHM, produce wafer in carburo di silicio monocristallino (SiC) e ha recentemente annunciato la creazione di un nuovo spazio destinato alla produzione, direttamente di fronte al sito già esistente. Il nuovo edificio...